摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-20页 |
1.1 超导材料简介 | 第11-13页 |
1.1.1 超导材料的发现 | 第11页 |
1.1.2 超导材料的独特性质 | 第11-12页 |
1.1.3 超导材料的种类 | 第12-13页 |
1.2 低温超导材料的应用 | 第13页 |
1.3 金属铌及铌薄膜的特性 | 第13-14页 |
1.4 铌超导薄膜的制备方法 | 第14-16页 |
1.5 铌超导薄膜性能的影响因素 | 第16-17页 |
1.6 国内外铌超导薄膜的研究现状 | 第17-18页 |
1.7 论文的选题依据与研究方案 | 第18-20页 |
第二章 实验方法与原理 | 第20-30页 |
2.1 溅射镀膜技术 | 第20-23页 |
2.1.1 磁控溅射原理 | 第20-21页 |
2.1.2 直流磁控溅射法 | 第21页 |
2.1.3 射频磁控溅射法 | 第21-22页 |
2.1.4 磁控溅射制备薄膜的影响因素 | 第22-23页 |
2.1.5 磁控溅射设备介绍 | 第23页 |
2.2 薄膜表征方法 | 第23-30页 |
2.2.1 X射线衍射仪 | 第23-26页 |
2.2.2 原子力显微镜 | 第26-27页 |
2.2.3 触针式台阶仪 | 第27页 |
2.2.4 四探针电阻测试仪 | 第27-28页 |
2.2.5 综合物性测量系统 | 第28-30页 |
第三章 直流磁控溅射制备铌超导薄膜的工艺研究 | 第30-57页 |
3.1 基本实验参数和实验步骤 | 第30-32页 |
3.1.1 工作气体和靶材的选择 | 第30页 |
3.1.2 衬底材料的选择 | 第30-31页 |
3.1.3 本底真空度的选择 | 第31页 |
3.1.4 实验步骤 | 第31-32页 |
3.2 溅射气压对铌薄膜特性的影响 | 第32-40页 |
3.2.1 溅射气压对铌薄膜结构的影响 | 第32-34页 |
3.2.2 溅射气压对铌薄膜内部应力的影响 | 第34-36页 |
3.2.3 溅射气压对铌薄膜宏观表面的影响 | 第36-37页 |
3.2.4 溅射气压对铌薄膜微观表面的影响 | 第37-39页 |
3.2.5 溅射气压对铌薄膜电性能的影响 | 第39-40页 |
3.3 衬底温度对铌薄膜特性的影响 | 第40-45页 |
3.3.1 衬底温度对铌薄膜结构的影响 | 第40-42页 |
3.3.2 衬底温度对铌薄膜内部应力的影响 | 第42-43页 |
3.3.3 衬底温度对铌薄膜表面形貌的影响 | 第43-44页 |
3.3.4 衬底温度对铌薄膜电性能的影响 | 第44-45页 |
3.4 薄膜厚度对铌膜特性的影响 | 第45-48页 |
3.4.1 薄膜厚度对铌薄膜结构和内部应力的影响 | 第46-47页 |
3.4.2 薄膜厚度对铌薄表面形貌的影响 | 第47页 |
3.4.3 薄膜厚度对铌薄膜性能的影响 | 第47-48页 |
3.5 沉积速率对铌薄膜特性的影响 | 第48-52页 |
3.5.1 靶基距对铌薄膜电性能的影响 | 第48-49页 |
3.5.2 溅射功率对铌薄膜特性的影响 | 第49-52页 |
3.5.2.1 溅射功率对铌膜结构和表面形貌的影响 | 第50-52页 |
3.5.2.2 溅射功率对铌膜电性能的影响 | 第52页 |
3.6 原位退火对铌薄膜特性的影响 | 第52-55页 |
3.6.1 原位退火对铌薄膜微结构的影响 | 第53-54页 |
3.6.2 原位退火对铌薄膜电性能的影响 | 第54-55页 |
3.7 小结 | 第55-57页 |
第四章 高质量铌超导薄膜的制备与研究 | 第57-66页 |
4.1 衬底偏压对磁控溅射制备铌膜特性的影响 | 第57-62页 |
4.1.1 衬底偏压对直流磁控溅射制备铌薄膜特性的影响 | 第57-60页 |
4.1.2 衬底偏压对射频磁控溅射制备铌薄膜特性的影响 | 第60-62页 |
4.2 溅射功率对系统背景真空度的影响 | 第62-65页 |
4.3 小结 | 第65-66页 |
第五章 石英球面上金属铌薄膜的制备与研究 | 第66-75页 |
5.1 设备的改造 | 第66-68页 |
5.2 球面衬底介绍 | 第68页 |
5.3 球面铌膜的厚度均匀性的研究 | 第68-74页 |
5.3.1 球面膜厚分布物理模型 | 第69-71页 |
5.3.2 不同运动状态下球面铌膜的厚度分布 | 第71-74页 |
5.4 小结 | 第74-75页 |
第六章 结论与展望 | 第75-76页 |
致谢 | 第76-77页 |
参考文献 | 第77-82页 |
攻读硕士期间取得的研究成果 | 第82-83页 |