摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4页 |
目录 | 第5-7页 |
第一章 绪论 | 第7-13页 |
1.1 CCD 与 CMOS 图像传感器 | 第7-9页 |
1.1.1 成像系统流程 | 第7-8页 |
1.1.2 CCD 与 CMOS 图像传感器比较 | 第8-9页 |
1.2 图像传感器发展概述 | 第9-11页 |
1.3 图像传感器的应用领域 | 第11-12页 |
1.4 本章小结 | 第12-13页 |
第二章 CMOS 图像传感器像素基础 | 第13-28页 |
2.1 光学吸收和粒子运动 | 第13-14页 |
2.2 常用光电探测器 | 第14-18页 |
2.2.1 光电二极管(PD) | 第14-15页 |
2.2.2 Pinned 光电二极管(PPD) | 第15-16页 |
2.2.3 Photogate(PG) | 第16-17页 |
2.2.4 埋沟道 Photogate(BPG) | 第17页 |
2.2.5 雪崩光电二极管(APD) | 第17-18页 |
2.3 图像传感器主要特性参数 | 第18-22页 |
2.3.1 填充因子 | 第18-19页 |
2.3.2 量子效率 | 第19-20页 |
2.3.3 满阱容量 | 第20页 |
2.3.4 动态范围 | 第20-21页 |
2.3.5 光谱响应率 | 第21页 |
2.3.6 灵敏度 | 第21页 |
2.3.7 信噪比 | 第21页 |
2.3.8 暗电流 | 第21-22页 |
2.4 CMOS 图像传感器的噪声源 | 第22-26页 |
2.4.1 散粒噪声 | 第23页 |
2.4.2 复位(KTC)噪声 | 第23-24页 |
2.4.3 热噪声 | 第24-25页 |
2.4.4 闪烁(1/f)噪声 | 第25-26页 |
2.4.5 读出噪声 | 第26页 |
2.4.6 固定模式噪声(FPN) | 第26页 |
2.5 本章小结 | 第26-28页 |
第三章 3T CMOS 图像传感器像素的原理及仿真设计 | 第28-37页 |
3.1 3T CMOS 图像传感器总体架构 | 第28-29页 |
3.2 图像传感器像素电路工作模式 | 第29-31页 |
3.3 3T 有源像素的结构及工作原理 | 第31-33页 |
3.4 仿真结果与分析 | 第33-37页 |
3.4.1 光电二极管结构仿真 | 第33-34页 |
3.4.2 暗电流仿真 | 第34-35页 |
3.4.3 像素瞬态响应 | 第35-37页 |
第四章 4T CMOS 图像传感器像素的原理及仿真设计 | 第37-48页 |
4.1 PPD 基本工艺流程 | 第37-39页 |
4.2 4T 有源像素的结构及工作原理 | 第39-41页 |
4.3 仿真结果与分析 | 第41-44页 |
4.3.1 暗电流仿真结果 | 第41页 |
4.3.2 电势分布 | 第41-43页 |
4.3.3 电子浓度 | 第43页 |
4.3.4 线性度分析 | 第43-44页 |
4.4 N 埋层电荷转移的优化 | 第44-48页 |
第五章 总结与展望 | 第48-49页 |
5.1 总结 | 第48页 |
5.2 展望 | 第48-49页 |
参考文献 | 第49-52页 |
附录一 | 第52-55页 |
附录二 | 第55-59页 |
致谢 | 第59页 |