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3T和4T COMS图像传感器像素TCAD仿真的设计研究

摘要第3-4页
Abstract第4页
目录第5-7页
第一章 绪论第7-13页
    1.1 CCD 与 CMOS 图像传感器第7-9页
        1.1.1 成像系统流程第7-8页
        1.1.2 CCD 与 CMOS 图像传感器比较第8-9页
    1.2 图像传感器发展概述第9-11页
    1.3 图像传感器的应用领域第11-12页
    1.4 本章小结第12-13页
第二章 CMOS 图像传感器像素基础第13-28页
    2.1 光学吸收和粒子运动第13-14页
    2.2 常用光电探测器第14-18页
        2.2.1 光电二极管(PD)第14-15页
        2.2.2 Pinned 光电二极管(PPD)第15-16页
        2.2.3 Photogate(PG)第16-17页
        2.2.4 埋沟道 Photogate(BPG)第17页
        2.2.5 雪崩光电二极管(APD)第17-18页
    2.3 图像传感器主要特性参数第18-22页
        2.3.1 填充因子第18-19页
        2.3.2 量子效率第19-20页
        2.3.3 满阱容量第20页
        2.3.4 动态范围第20-21页
        2.3.5 光谱响应率第21页
        2.3.6 灵敏度第21页
        2.3.7 信噪比第21页
        2.3.8 暗电流第21-22页
    2.4 CMOS 图像传感器的噪声源第22-26页
        2.4.1 散粒噪声第23页
        2.4.2 复位(KTC)噪声第23-24页
        2.4.3 热噪声第24-25页
        2.4.4 闪烁(1/f)噪声第25-26页
        2.4.5 读出噪声第26页
        2.4.6 固定模式噪声(FPN)第26页
    2.5 本章小结第26-28页
第三章 3T CMOS 图像传感器像素的原理及仿真设计第28-37页
    3.1 3T CMOS 图像传感器总体架构第28-29页
    3.2 图像传感器像素电路工作模式第29-31页
    3.3 3T 有源像素的结构及工作原理第31-33页
    3.4 仿真结果与分析第33-37页
        3.4.1 光电二极管结构仿真第33-34页
        3.4.2 暗电流仿真第34-35页
        3.4.3 像素瞬态响应第35-37页
第四章 4T CMOS 图像传感器像素的原理及仿真设计第37-48页
    4.1 PPD 基本工艺流程第37-39页
    4.2 4T 有源像素的结构及工作原理第39-41页
    4.3 仿真结果与分析第41-44页
        4.3.1 暗电流仿真结果第41页
        4.3.2 电势分布第41-43页
        4.3.3 电子浓度第43页
        4.3.4 线性度分析第43-44页
    4.4 N 埋层电荷转移的优化第44-48页
第五章 总结与展望第48-49页
    5.1 总结第48页
    5.2 展望第48-49页
参考文献第49-52页
附录一第52-55页
附录二第55-59页
致谢第59页

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