| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-33页 |
| 1.1 物质的拓扑分类 | 第10-16页 |
| 1.1.1 量子霍尔效应 | 第11-14页 |
| 1.1.2 量子自旋霍尔效应 | 第14-16页 |
| 1.2 拓扑绝缘体属性和材料探索 | 第16-23页 |
| 1.3 拓扑绝缘体实验研究进展 | 第23-27页 |
| 1.3.1 角分辨光电子能谱 | 第23-24页 |
| 1.3.2 扫描隧道显微镜 | 第24-25页 |
| 1.3.3 电子输运性质测量 | 第25-27页 |
| 1.4 功能性拓扑绝缘体研究进展 | 第27-33页 |
| 1.4.1 拓扑绝缘体异质结 | 第28页 |
| 1.4.2 磁性拓扑绝缘体 | 第28-31页 |
| 1.4.3 本文结构安排 | 第31-33页 |
| 第二章 样品生长和电子输运测量技术 | 第33-46页 |
| 2.1 分子束外延技术 | 第33-35页 |
| 2.2 拓扑绝缘体Bi_2Se_3薄膜生长 | 第35-38页 |
| 2.3 霍尔条器件制备 | 第38-40页 |
| 2.4 锁相放大器技术 | 第40-41页 |
| 2.5 低温制冷机原理 | 第41-46页 |
| 2.5.1 氦-3和氦-4制冷机 | 第42-43页 |
| 2.5.2 稀释制冷机 | 第43-46页 |
| 第三章 Bi_2Se_3/BaFe_(12)O_(19)异质结的磁近邻效应 | 第46-69页 |
| 3.1 非磁性拓扑绝缘体的输运性质 | 第46-52页 |
| 3.1.1 反弱局域化效应 | 第46-50页 |
| 3.1.2 面内正磁电阻效应 | 第50-52页 |
| 3.2 拓扑绝缘体/磁性绝缘体异质结输运研究进展 | 第52-57页 |
| 3.3 Bi_2Se_3/BaFe_(12)O_(19)异质结制备和结构表征 | 第57-58页 |
| 3.4 Bi_2Se_3/BaFe_(12)O_(19)异质结输运性质 | 第58-69页 |
| 3.4.1 纵向电阻 | 第59-64页 |
| 3.4.2 霍尔电阻 | 第64-65页 |
| 3.4.3 结果和讨论 | 第65页 |
| 3.4.4 经典随机磁散射 | 第65-67页 |
| 3.4.5 经典自旋相关散射 | 第67页 |
| 3.4.6 界面磁交换相互作用 | 第67-68页 |
| 3.4.7 小结 | 第68-69页 |
| 第四章 Bi_2Se_3/YIG异质结的电子输运性质 | 第69-94页 |
| 4.1 研究背景 | 第69-79页 |
| 4.1.1 磁畴和磁畴壁 | 第69-70页 |
| 4.1.2 磁畴壁电阻 | 第70-73页 |
| 4.1.3 YIG磁性 | 第73-77页 |
| 4.1.4 Bi_2Se_3/YIG异质结 | 第77-79页 |
| 4.2 Bi_2Se_3/YIG异质结输运性质 | 第79-88页 |
| 4.2.1 垂直磁场下电阻 | 第79-84页 |
| 4.2.2 平行磁场下电阻 | 第84-86页 |
| 4.2.3 界面相互作用的变化 | 第86-87页 |
| 4.2.4 数据可重复性 | 第87-88页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第88-94页 |
| 4.3.1 物理机制 | 第88-92页 |
| 4.3.2 小结 | 第92-94页 |
| 第五章 总结与展望 | 第94-96页 |
| 5.1 总结 | 第94页 |
| 5.2 展望 | 第94-96页 |
| 参考文献 | 第96-114页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第114-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
