| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 ZnO的基本性质 | 第11-12页 |
| 1.3 ZnO的p型掺杂研究 | 第12-14页 |
| 1.4 ZnO的本征点缺陷 | 第14-18页 |
| 1.4.1 锌间隙 | 第15-16页 |
| 1.4.2 氧间隙 | 第16页 |
| 1.4.3 锌空位 | 第16-17页 |
| 1.4.4 氧空位 | 第17-18页 |
| 1.5 本论文的研究内容及创新点 | 第18-19页 |
| 2 ZnO薄膜的制备及性能表征 | 第19-30页 |
| 2.1 ZnO薄膜的制备 | 第19-24页 |
| 2.1.1 射频磁控溅射基本原理 | 第19-22页 |
| 2.1.2 离子注入技术 | 第22-23页 |
| 2.1.3 热处理工艺 | 第23-24页 |
| 2.2 实验制备过程 | 第24-26页 |
| 2.2.1 实验设备和原材料 | 第24页 |
| 2.2.2 衬底的准备与清洗 | 第24-25页 |
| 2.2.3 薄膜制备流程 | 第25-26页 |
| 2.3 ZnO薄膜常用的表征方法 | 第26-30页 |
| 2.3.1 X射线衍射分析 | 第26-27页 |
| 2.3.2 霍尔效应测试分析 | 第27页 |
| 2.3.3 拉曼光谱测试分析 | 第27-28页 |
| 2.3.4 X射线光电子能谱分析 | 第28-29页 |
| 2.3.5 光致发光谱分析 | 第29-30页 |
| 3 不同In含量的ZnO:In薄膜特性研究 | 第30-35页 |
| 3.1 不同In含量的ZnO:In薄膜的电学性能 | 第30-31页 |
| 3.2 不同In含量的ZnO:In薄膜的结构 | 第31-32页 |
| 3.3 ZnO:In薄膜的光学性能 | 第32-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 4 本征缺陷对ZnO:(In,N)薄膜的p型导电的影响 | 第35-42页 |
| 4.1 ZnO:(In,N)薄膜的制备 | 第35页 |
| 4.2 不同退火温度的ZnO:(In,N)薄膜的电学性能 | 第35-37页 |
| 4.3 不同退火温度的ZnO:(In,N)薄膜的结构性能 | 第37页 |
| 4.4 ZnO:(In,N)薄膜的元素成分分析 | 第37-39页 |
| 4.5 ZnO:(In,N)薄膜的拉曼特性 | 第39-40页 |
| 4.6 不同退火温度的ZnO:(In,N)薄膜的光致发光谱研究 | 第40-41页 |
| 4.7 本章小结 | 第41-42页 |
| 5 结论与展望 | 第42-44页 |
| 5.1 结论 | 第42页 |
| 5.2 研究展望 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-55页 |
| 附录A：作者攻读硕士学位期间发表论文及科研情况 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56页 |
