| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 CZTS材料的结构和性质 | 第10-12页 |
| 1.3 CZTS薄膜制备的研究进展 | 第12-18页 |
| 1.3.1 元素掺杂 | 第12-13页 |
| 1.3.2 构建不同载流子浓度梯度的光吸收层 | 第13-14页 |
| 1.3.3 调控退火条件 | 第14-15页 |
| 1.3.4 抑制薄膜分解 | 第15-18页 |
| 1.4 CZTS光阴极在光电化学领域中的研究进展 | 第18-21页 |
| 1.5 本论文的选题依据和主要研究内容 | 第21-22页 |
| 第二章 CZTS薄膜的生长调控研究 | 第22-30页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 CZTS薄膜的制备 | 第22-25页 |
| 2.2.1 实验原料与仪器 | 第22-23页 |
| 2.2.2 CZTS薄膜的制备过程 | 第23-24页 |
| 2.2.3 CZTS薄膜的结构表征与分析 | 第24-25页 |
| 2.3 CZTS薄膜生长条件的调控 | 第25-28页 |
| 2.3.1 对升温速率的调控 | 第25页 |
| 2.3.2 对硫化温度的调控 | 第25-26页 |
| 2.3.3 对硫粉添加量的调控 | 第26-27页 |
| 2.3.4 对基底的调控 | 第27-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 SnO_2插入层对CZTS薄膜质量的改善及其光电化学分解水性能研究 | 第30-40页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 SnO_2插入层的制备 | 第30-32页 |
| 3.2.1 实验原料与仪器 | 第30-31页 |
| 3.2.2 SnO_2插入层的制备过程 | 第31页 |
| 3.2.3 SnO_2插入层的物相表征 | 第31-32页 |
| 3.3 SnO_2插入层对CZTS薄膜质量改善的研究 | 第32-37页 |
| 3.3.1 插入SnO_2层硫化后的CZTS薄膜的形貌表征及结构分析 | 第32-34页 |
| 3.3.2 SnO_2插入层改善CZTS薄膜质量的机理分析 | 第34-37页 |
| 3.4 SnO_2插入层对CZTS薄膜光电化学分解水性能的影响研究 | 第37-39页 |
| 3.4.1 Pt/CdS/CZTS光阴极的制备 | 第37-38页 |
| 3.4.1.1 实验原料与仪器 | 第37页 |
| 3.4.1.2 硫化镉层的制备过程 | 第37-38页 |
| 3.4.1.3 铂助催化剂的制备过程 | 第38页 |
| 3.4.2 Pt/CdS/CZTS光阴极的光电化学性能研究 | 第38-39页 |
| 3.4.2.1 光电化学测试 | 第38页 |
| 3.4.2.2 Pt/CdS/CZTS光阴极的光电化学性能表征与分析 | 第38-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 In-OH-S与TiO2界面修饰层对CZTS薄膜光电化学分解水性能的影响研究 | 第40-47页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 In-OH-S界面层修饰对CZTS薄膜光电化学性能的影响 | 第40-42页 |
| 4.2.1 In-OH-S界面层的制备 | 第40-41页 |
| 4.2.1.2 In-OH-S界面层的制备过程 | 第41页 |
| 4.2.2 Pt/In-OH-S/CdS/CZTS光阴极的光电化学性能研究 | 第41-42页 |
| 4.3 TiO_2阻挡层修饰对CZTS薄膜光电化学性能的影响 | 第42-45页 |
| 4.3.1 TiO_2阻挡层的制备 | 第42-43页 |
| 4.3.2 Pt/TiO_2/In-OH-S/CdS/CZTS光阴极的光电化学性能研究 | 第43-45页 |
| 4.4 In-OH-S与TiO2界面修饰层提高CZTS光阴极光电化学性能的机理分析 | 第45-46页 |
| 4.5 本章小结 | 第46-47页 |
| 第五章 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 在学期间公开发表论文及参加会议情况 | 第56页 |
