首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--基本电子电路论文--放大技术、放大器论文--放大器论文--放大器:按作用分论文

全集成CMOS射频功率放大器

摘要第3-4页
Abstract第4页
插图索引第7-9页
表格索引第9-10页
第1章 引言第10-15页
    目录第10页
    1.1 课题研究背景第10-12页
    1.2 论文研究动机与主要贡献第12-14页
    1.3 论文组织安排第14-15页
第2章 射频功放基础第15-25页
    目录第15页
    2.1 引言第15页
    2.2 功放指标第15-22页
        2.2.1 线性度第15-20页
            2.2.1.1 幅度和相位失真第16-19页
            2.2.1.2 邻近信道功率比(ACPR)第19页
            2.2.1.3 EVM第19-20页
        2.2.2 效率第20-21页
        2.2.3 输出功率第21-22页
    2.3 CMOS功放设计的挑战第22-24页
        2.3.1 衬底及连线金属问题第22-23页
        2.3.2 耐压能力第23-24页
    2.4 本章小结第24-25页
第3章 阻抗匹配与功率合成变压器设计第25-49页
    目录第25-26页
    3.1 阻抗区配第26-32页
        3.1.1 负载线匹配理论第26-27页
        3.1.2 LC匹配网络第27-29页
        3.1.3 基于变压器的阻抗匹配网络第29-32页
    3.2 功率合成变压器设计第32-47页
        3.2.1 3:2变压器设计实例第33页
        3.2.2 功率合成变压器(Power-Combing Transformer)第33-47页
            3.2.2.1 功率合成变压器的效率分析第34-40页
            3.2.2.2 功率控制及效率提高技术第40-47页
            3.2.2.3 衬底隔离第47页
    3.3 本章小结第47-49页
第4章 线性CMOS功率放大器电路设计第49-66页
    目录第49-50页
    4.1 功放的稳定性分析第50-52页
    4.2 两级高线性度功放设计第52-61页
        4.2.1 功放设计流程第52-53页
        4.2.2 功率管设计第53-55页
        4.2.3 线性度的提高第55-58页
            4.2.3.1 AM-PM失真校准第56-57页
            4.2.3.2 AM-AM失真校准第57-58页
        4.2.4 2×1:2 PCT设计第58-61页
        4.2.5 其他问题第61页
    4.3 测试结果第61-65页
    4.4 本章小结第65-66页
第5章 总结与展望第66-68页
    目录第66页
    5.1 论文总结第66-67页
    5.2 未来工作第67-68页
参考文献第68-72页
致谢第72-74页

论文共74页,点击 下载论文
上一篇:跨国电子企业库存成本控制及其优化
下一篇:掺杂氧化锌薄膜的光学特性研究