| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-29页 |
| 1.1 研究背景和意义 | 第11页 |
| 1.2 ESD原理及其测试方法 | 第11-20页 |
| 1.2.1 ESD产生原理 | 第11-12页 |
| 1.2.2 ESD测试方法 | 第12-20页 |
| 1.3 ESD研究发展与现状 | 第20-26页 |
| 1.3.1 电热机制研究 | 第21-22页 |
| 1.3.2 ESD应力下的材料特性 | 第22-23页 |
| 1.3.3 工艺对ESD的影响 | 第23-25页 |
| 1.3.4 ESD CAD的发展 | 第25-26页 |
| 1.4 论文主要研究工作 | 第26-29页 |
| 1.4.1 本文主要工作 | 第26-27页 |
| 1.4.2 论文内容安排 | 第27-29页 |
| 第二章 ESD防护器件的工作原理分析 | 第29-43页 |
| 2.1 非骤回型保护器件 | 第29-34页 |
| 2.1.1 CMOS工艺中的常见二极管 | 第30-31页 |
| 2.1.2 二极管击穿特性分析 | 第31-34页 |
| 2.2 骤回型保护器件 | 第34-41页 |
| 2.2.1 MOSFET器件 | 第34-38页 |
| 2.2.2 可控硅整流器 | 第38-41页 |
| 2.3 本章小结 | 第41-43页 |
| 第三章 GGNMOS保护器件的仿真设计方法研究 | 第43-63页 |
| 3.1 ESD保护器件仿真设计方法概述 | 第43-44页 |
| 3.2 GGNMOS保护器件的数值仿真方法 | 第44-49页 |
| 3.2.1 物理模型 | 第44-48页 |
| 3.2.2 混合模式仿真 | 第48-49页 |
| 3.3 GGNMOS保护器件的电路仿真方法 | 第49-61页 |
| 3.3.1 GGNMOS保护器件电路模型构成 | 第49-51页 |
| 3.3.2 NMOS管模型 | 第51页 |
| 3.3.3 雪崩倍增电流源 | 第51-53页 |
| 3.3.4 寄生LNPN模型 | 第53-55页 |
| 3.3.5 衬底电阻模型 | 第55-56页 |
| 3.3.6 模型参数提取 | 第56-58页 |
| 3.3.7 保护器件电路模型搭建与仿真 | 第58-61页 |
| 3.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第四章 GGNMOS保护器件的版图参数影响研究 | 第63-77页 |
| 4.1 研究背景和意义 | 第63-65页 |
| 4.2 沟道宽度 | 第65-67页 |
| 4.3 沟道长度 | 第67-70页 |
| 4.3.1 不同沟长器件的测试结果 | 第67-68页 |
| 4.3.2 仿真分析 | 第68-70页 |
| 4.4 源极和漏极接触孔到栅间距 | 第70-76页 |
| 4.4.1 金属硅化物工艺的影响 | 第70-71页 |
| 4.4.2 DCGS的影响 | 第71-75页 |
| 4.4.3 SCGS的影响 | 第75-76页 |
| 4.5 本章小结 | 第76-77页 |
| 第五章 GGNMOS保护器件的衬底电阻模型研究 | 第77-87页 |
| 5.1 保护器件衬底电阻模型研究现状 | 第77页 |
| 5.2 考虑电导率调制效应的衬底电阻模型 | 第77-79页 |
| 5.3 SB间距对GGNMOS器件衬底电阻的影响 | 第79-84页 |
| 5.3.1 研究对象及仿真设置 | 第79-80页 |
| 5.3.2 基于不同衬底类型的仿真分析 | 第80-84页 |
| 5.4 GGNMOS器件的可调衬底电阻模型建立 | 第84-86页 |
| 5.4.1 可调衬底电阻模型 | 第84-85页 |
| 5.4.2 仿真分析 | 第85-86页 |
| 5.5 本章小结 | 第86-87页 |
| 第六章 多叉指GGNMOS保护器件均匀触发问题研究 | 第87-97页 |
| 6.1 多叉指GGNMOS保护器件的不均匀导通现象 | 第87-89页 |
| 6.2 衬底触发技术研究 | 第89-92页 |
| 6.2.1 衬底触发原理 | 第89-91页 |
| 6.2.2 改进的衬底触发GGNMOS | 第91-92页 |
| 6.3 基于动态衬底电阻的自触发GGNMOS结构 | 第92-95页 |
| 6.3.1 自衬底触发GGNMOS | 第92-93页 |
| 6.3.2 动态衬底电阻SSTGGNMOS | 第93-95页 |
| 6.4 本章小结 | 第95-97页 |
| 第七章 总结与展望 | 第97-99页 |
| 7.1 全文总结 | 第97-98页 |
| 7.2 工作展望 | 第98-99页 |
| 致谢 | 第99-101页 |
| 参考文献 | 第101-117页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第117-118页 |
| 学术论文 | 第117页 |
| 参加研究的科研项目 | 第117-118页 |
| 专利 | 第118页 |