| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第13-15页 |
| 缩略语对照表 | 第15-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-25页 |
| 1.1 前言 | 第18-19页 |
| 1.2 InAs/AlSb HEMTs器件的优势 | 第19-21页 |
| 1.3 InAs/AlSb HEMTs器件的研究现状和存在的问题 | 第21-23页 |
| 1.3.1 研究的现状 | 第21-22页 |
| 1.3.2 存在的问题 | 第22-23页 |
| 1.4 本文主要研究工作和结构安排 | 第23-25页 |
| 第二章 InAs/AlSb HEMTs器件特性分析 | 第25-34页 |
| 2.1 InAs/AlSb HEMTs器件结构及工作原理介绍 | 第25-27页 |
| 2.2 InAs/AlSb HEMTs器件特性及机理分析 | 第27-32页 |
| 2.2.1 碰撞离化效应特性分析 | 第27-29页 |
| 2.2.2 栅极漏电特性分析 | 第29-31页 |
| 2.2.3 噪声机理分析 | 第31-32页 |
| 2.3 本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 InAs/AlSb HEMTs器件模型研究 | 第34-61页 |
| 3.1 传统HEMTs小信号等效电路模型理论介绍 | 第35-36页 |
| 3.2 InAs/AlSb HEMTs器件小信号等效电路模型研究 | 第36-58页 |
| 3.2.1 小信号等效电路模型结构分析 | 第36-42页 |
| 3.2.2 参数提取方法研究 | 第42-47页 |
| 3.2.3 改进小信号等效模型验证 | 第47-58页 |
| 3.3 InAs/AlSb HEMTs噪声小信号模型研究 | 第58-59页 |
| 3.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 第四章 InAs/AlSb HEMTs LNA设计 | 第61-85页 |
| 4.1 LNA相关理论介绍 | 第61-75页 |
| 4.1.1 LNA主要性能指标介绍 | 第61-66页 |
| 4.1.2 常见LNA电路结构分析 | 第66-73页 |
| 4.1.3 匹配理论分析 | 第73-75页 |
| 4.2 Ku波段InAs/AlSb HEMTs LNA电路仿真设计 | 第75-83页 |
| 4.2.1 LNA电路结构分析 | 第75-76页 |
| 4.2.2 LNA匹配电路设计 | 第76-78页 |
| 4.2.3 仿真结果分析 | 第78-83页 |
| 4.3 本章小结 | 第83-85页 |
| 第五章 InAs/AlSb HEMTs制备工艺研究 | 第85-96页 |
| 5.1 外延材料生长 | 第85-86页 |
| 5.2 InAs/AlSb HEMTs制备工艺研究 | 第86-92页 |
| 5.2.1 台面隔离工艺研究 | 第88-90页 |
| 5.2.2 源漏欧姆接触工艺研究 | 第90-92页 |
| 5.2.3 栅工艺研究 | 第92页 |
| 5.3 InAs/AlSb HEMTs测试结果分析 | 第92-95页 |
| 5.4 本章小结 | 第95-96页 |
| 第六章 InAs/AlSb MOS-HEMTs基础研究 | 第96-121页 |
| 6.1 high-k/InAlAs MOS电容制备与特性研究 | 第96-112页 |
| 6.1.1 HfO_2/InAlAs MOS制备工艺研究 | 第98-100页 |
| 6.1.2 HfO_2/InAlAs MOS电容测试结果分析 | 第100-112页 |
| 6.2 InAs/AlSb MOS-HEMTs器件物理仿真研究 | 第112-120页 |
| 6.2.1 器件仿真结构分析 | 第113-115页 |
| 6.2.2 InAs/AlSb MOS-HEMTs仿真结果分析 | 第115-120页 |
| 6.3 本章小结 | 第120-121页 |
| 第七章 总结和展望 | 第121-124页 |
| 7.1 本文总结 | 第121-123页 |
| 7.2 研究展望 | 第123-124页 |
| 致谢 | 第124-126页 |
| 参考文献 | 第126-132页 |
| 作者简介 | 第132-133页 |
