首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--半导体二极管论文--二极管:按结构和性能分论文

柔性LED封装模块互连界面微观结构及演变

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第10-19页
    1.1 课题背景及研究目的第10-11页
    1.2 国内外研究现状第11-18页
        1.2.1 钎料量对化合物厚度的影响第11-12页
        1.2.2 镍层与钎料界面 IMC 厚度和种类的影响因素第12-13页
        1.2.3 无铅高温钎料第13-14页
        1.2.4 Innolot 系列钎料开发第14-15页
        1.2.5 SnAgCu 断裂的影响因素第15-17页
        1.2.6 温度循环下的再结晶与裂纹扩展第17-18页
    1.3 本文的主要研究内容第18-19页
第2章 材料及试验方法第19-25页
    2.1 试验材料及加速试验第19-21页
    2.2 试验方法第21-25页
        2.2.1 化合物成分分析及厚度测量第21页
        2.2.2 拉伸性能测试第21-22页
        2.2.3 超声 C 扫描检测第22页
        2.2.4 偏光即 EBSD 观察第22-23页
        2.2.5 断口观察第23页
        2.2.6 应力应变数值模拟第23-24页
        2.2.7 晶粒取向与 Schmid 因子第24-25页
第3章 器件镀层对镀 Ni 铜线与钎料间化合物的影响第25-40页
    3.1 不同器件镀层及钎料量条件下化合物种类的演变第25-32页
        3.1.1 器件镀层中含铜焊点的化合物演变第25-28页
        3.1.2 器件镀层中不含铜薄焊点的化合物演变第28-29页
        3.1.3 器件镀层中不含铜厚焊点的化合物演变第29-32页
    3.2 器件镀层对化合物厚度及其生成激活能的影响第32-34页
    3.3 化合物层种类、厚度对拉伸强度的影响第34-38页
        3.3.1 器件镀层含铜焊点断口第34-36页
        3.3.2 器件镀层不含铜薄焊点断口第36-37页
        3.3.3 器件镀层不含铜厚焊点断口第37-38页
    3.4 本章小结第38-40页
第4章 热冲击循环条件下 Innolot 钎料显微组织演变第40-52页
    4.1 宏观断裂面积第40-41页
    4.2 强化成分对显微组织及断裂路径的影响第41-45页
        4.2.1 强化成分对焊后显微组织的影响第41-42页
        4.2.2 强化成分对 250 次循环后显微组织及断裂路径的影响第42-43页
        4.2.3 强化成分对 1500 次循环后显微组织及断裂路径的影响第43-45页
    4.3 焊点形状对应力分布状态的影响第45-49页
    4.4 应力分布对显微组织及裂纹扩展的影响第49-51页
        4.4.1 应力集中严重时的显微组织及裂纹扩展第49-50页
        4.4.2 应力集中较小时的显微组织及裂纹扩展第50-51页
    4.5 本章小结第51-52页
第5章 热冲击循环条件下 Innolot 钎料接头的再结晶与裂纹扩展行为第52-73页
    5.1 热冲击前后晶粒的偏光分析第52-53页
    5.2 Innolot 焊点中再结晶及裂纹扩展的特点第53-67页
        5.2.1 Innolot 钎料焊点中的孪晶现象第53-55页
        5.2.2 裂纹萌生区的再结晶与裂纹扩展的相互作用第55-59页
        5.2.3 无裂纹区的明显再结晶现象第59-62页
        5.2.4 裂纹扩展区再结晶与裂纹扩展的特点第62-65页
        5.2.5 裂纹扩展区的断口形貌第65-67页
    5.3 应力状态对 Innolot 再结晶及裂纹扩展的影响第67-71页
        5.3.1 高应力状态下的再结晶及裂纹第67-68页
        5.3.2 高应力下的韧窝断口第68-69页
        5.3.3 低应力状态下的再结晶及裂纹第69-70页
        5.3.4 低应力状态下的孪晶拉丝断口第70-71页
    5.4 疲劳辉纹的观察第71-72页
    5.5 本章小结第72-73页
结论第73-74页
参考文献第74-78页
攻读学位期间发表的学术论文第78-80页
致谢第80页

论文共80页,点击 下载论文
上一篇:阵列信号处理中高分辨参量估计方法研究
下一篇:三维封装芯片Cu-In体系固液互扩散低温键合机理研究