| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 QLED的研究背景 | 第10-14页 |
| 1.1.1 QLED的研究与发展现状 | 第10-12页 |
| 1.1.2 QLED的结构简介 | 第12-13页 |
| 1.1.3 QLED的主要性能参数 | 第13-14页 |
| 1.2 QLED的发光机制和器件类型 | 第14-17页 |
| 1.2.1 QLED的发光机制 | 第14-16页 |
| 1.2.2 标准型与反型QLED器件的介绍 | 第16-17页 |
| 1.3 反型QLED的基本概况 | 第17-24页 |
| 1.3.1 反型QLED的发光机制 | 第17-19页 |
| 1.3.2 应用真空热蒸发法构筑的反型QLED器件及研究现状 | 第19-21页 |
| 1.3.3 应用全溶液法构筑的反型QLED器件及研究现状 | 第21-24页 |
| 1.4 目前存在的主要问题 | 第24-25页 |
| 1.5 研究的目的和主要内容 | 第25-26页 |
| 第二章 利用溶液的正交特性构筑绿光反型QLED器件 | 第26-40页 |
| 2.1 引言 | 第26-27页 |
| 2.2 QDs的基本数据 | 第27-28页 |
| 2.2.1 QDs的合成 | 第27页 |
| 2.2.2 QDs的提纯 | 第27-28页 |
| 2.2.3 QDs的表征数据 | 第28页 |
| 2.3 绿光反型QLED器件的制备 | 第28-34页 |
| 2.3.1 实验所需材料 | 第28-29页 |
| 2.3.2 实验所用仪器和设备 | 第29-30页 |
| 2.3.3 器件的构筑过程 | 第30-31页 |
| 2.3.4 实验结果分析与讨论 | 第31-34页 |
| 2.4 PVK选用不同溶剂对器件性能影响的研究 | 第34-38页 |
| 2.4.1 实验设计思路 | 第34-35页 |
| 2.4.2 器件的构筑过程 | 第35页 |
| 2.4.3 实验结果分析与讨论 | 第35-38页 |
| 2.5 本章小结 | 第38-40页 |
| 第三章 QDs层热处理和介入电子阻挡层对器件性能影响的研究 | 第40-52页 |
| 3.1 引言 | 第40-41页 |
| 3.2 QDs层热处理对器件性能影响的研究 | 第41-46页 |
| 3.2.1 器件的构筑过程 | 第41页 |
| 3.2.2 实验结果分析与讨论 | 第41-46页 |
| 3.3 介入电子阻挡层对器件性能影响的研究 | 第46-50页 |
| 3.3.1 实验设计思路 | 第46-47页 |
| 3.3.2 器件的构筑过程 | 第47页 |
| 3.3.3 实验结果分析与讨论 | 第47-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 总结 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-62页 |
| 硕士期间的科研成果 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
