| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-28页 |
| 1.1 量子点发光二极管概述 | 第12-17页 |
| 1.1.1 量子点发光二极管的研究背景 | 第12-14页 |
| 1.1.2 量子点发光二极管的工作机制及性能参数 | 第14-16页 |
| 1.1.3 量子点发光二极管目前存在的问题 | 第16-17页 |
| 1.2 量子点发光二极管的界面及载流子注入优化 | 第17-22页 |
| 1.2.1 传输层/量子点界面研究进展 | 第17-18页 |
| 1.2.2 空穴注入能力的优化方案 | 第18-22页 |
| 1.3 量子点发光二极管的界面修饰工作进展 | 第22-26页 |
| 1.3.1 聚合物作为修饰材料的界面修饰 | 第22-24页 |
| 1.3.2 小分子作为修饰材料的界面修饰 | 第24-26页 |
| 1.4 本论文的研究思路及研究内容 | 第26-28页 |
| 1.4.1 本论文的研究思路 | 第26页 |
| 1.4.2 本论文的主要研究内容 | 第26-28页 |
| 第二章 4-甲基苯硫酚界面修饰层在QLED器件中的应用 | 第28-38页 |
| 2.1 引言 | 第28-29页 |
| 2.2 实验部分 | 第29-31页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第29页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第29-30页 |
| 2.2.3 QLED器件构筑 | 第30-31页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第31-37页 |
| 2.3.1 器件结构设计 | 第31-32页 |
| 2.3.2 修饰层的工艺参数优化 | 第32-35页 |
| 2.3.3 修饰层的溶剂优化及器件透光性表征 | 第35-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 基于 4-甲基苯硫酚的QLED器件及其性能研究 | 第38-48页 |
| 3.1 引言 | 第38-39页 |
| 3.2 实验部分 | 第39页 |
| 3.2.1 实验试剂 | 第39页 |
| 3.2.2 实验仪器 | 第39页 |
| 3.2.3 QLED器件构筑 | 第39页 |
| 3.2.4 4-甲基苯硫酚修饰CdSe@ZnS量子点 | 第39页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第39-47页 |
| 3.3.1 器件结构设计及其对光电性能的影响 | 第39-41页 |
| 3.3.2 不同结构器件中量子点荧光寿命表征 | 第41-42页 |
| 3.3.3 4-甲基苯硫酚与空穴传输材料的相互作用 | 第42-43页 |
| 3.3.4 4-甲基苯硫酚对量子点光电性质的影响 | 第43-45页 |
| 3.3.5 4-甲基苯硫酚修饰层对空穴注入效率的影响 | 第45-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 硫酚类分子界面修饰层对空穴注入效率的影响 | 第48-54页 |
| 4.1 引言 | 第48页 |
| 4.2 实验部分 | 第48-49页 |
| 4.2.1 实验试剂 | 第48-49页 |
| 4.2.2 实验仪器 | 第49页 |
| 4.2.3 QLED器件构筑 | 第49页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第49-53页 |
| 4.3.1 不同取代基的硫酚作为修饰层对空穴注入效率的影响 | 第49-51页 |
| 4.3.2 硫酚类分子结构对空穴注入效率的影响 | 第51-53页 |
| 4.4 小结 | 第53-54页 |
| 总结与展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-66页 |
| 攻读硕士学位期间的科研成果 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
