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注入层及发光层调控构筑ZnCdSe/ZnS核壳结构量子点发光二极管

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-8页
第一章 绪论第11-23页
    1.1 量子点的基本性质及分类第11-15页
        1.1.1 量子点的基本性质第11-13页
        1.1.2 量子点的分类第13-15页
    1.2 量子点发光二极管的发光机理和研究进展第15-17页
        1.2.1 量子点发光二极管的发光机理第15-16页
        1.2.2 量子点发光二极管的研究进展第16-17页
    1.3 量子点发光二极管中阳极改性的研究进展第17-19页
    1.4 量子点发光二极管中发光材料的改进第19-21页
    1.5 本论文选题依据和主要内容第21-23页
        1.5.1 量子点发光二极管中存在的主要问题第21页
        1.5.2 本论文工作的主要内容第21-23页
第二章 基于绿色量子点发光器件的空穴注入层改性研究第23-37页
    2.1 引言第23-24页
    2.2 实验部分第24-26页
        2.2.1 实验药品与试剂第24页
        2.2.2 Zn1-xCdxSe/ZnS核壳结构量子点的合成第24-25页
        2.2.3 测试仪器第25页
        2.2.4 QLEDs器件的制备第25-26页
    2.3 结果与讨论第26-36页
        2.3.1 Au NPs的掺杂浓度对器件性能的影响第31-33页
        2.3.2 Au NPs的尺寸对器件性能的影响第33-36页
    2.4 结论第36-37页
第三章 量子点壳层厚度对QLEDs器件性能的影响第37-49页
    3.1 引言第37-38页
    3.2 实验部分第38页
    3.3 结果与讨论第38-48页
        3.3.1 空穴传输材料的选择第40-43页
        3.3.2 量子点壳层厚度改变对器件性能的影响第43-48页
    3.4 结论第48-49页
第四章 总结与展望第49-51页
    4.1 总结第49-50页
    4.2 展望第50-51页
参考文献第51-63页
硕士期间发表的学术论文第63-65页
致谢第65-66页

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