| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3-4页 |
| 第一章 文献综述 | 第7-28页 |
| 1.1 紫外探测器 | 第7-11页 |
| 1.2 Schottky紫外探测器 | 第11-19页 |
| 1.2.1 金属半导体肖特基接触 | 第11-15页 |
| 1.2.2 Schottky探测器的工作原理 | 第15-17页 |
| 1.2.3 Schottky紫外探测器的性能参数 | 第17-19页 |
| 1.3 碳化硅Schottky紫外探测器 | 第19-26页 |
| 1.3.1 SiC材料的晶体结构及命名法 | 第19-21页 |
| 1.3.2 SiC材料的性质 | 第21-22页 |
| 1.3.3 碳化硅Schottky紫外探测器研究进展 | 第22-26页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第26-28页 |
| 第二章 碳化硅Schottky紫外探测器的仿真 | 第28-46页 |
| 2.1 物理模型的选择 | 第28-32页 |
| 2.1.1 迁移率模型 | 第30-31页 |
| 2.1.2 产生-复合模型 | 第31-32页 |
| 2.1.3 热电子发射模型 | 第32页 |
| 2.2 碳化硅Schottky紫外探测器光电特性仿真 | 第32-41页 |
| 2.2.1 器件结构 | 第32-33页 |
| 2.2.2 4H-SiC材料光学参数的获取 | 第33-37页 |
| 2.2.3 光谱响应曲线、量子效率和响应度 | 第37-39页 |
| 2.2.4 光电流和暗电流 | 第39-40页 |
| 2.2.5 响应时间 | 第40-41页 |
| 2.3 影响探测器响应度的因素 | 第41-45页 |
| 2.3.1 外加偏压对响应度影响 | 第42-43页 |
| 2.3.2 外延层掺杂浓度对响应度影响 | 第43-44页 |
| 2.3.3 外延层厚度对响应度影响 | 第44-45页 |
| 2.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第三章 基于多孔碳化硅Schottky紫外探测器的仿真 | 第46-61页 |
| 3.1 多孔碳化硅材料 | 第46-48页 |
| 3.2 多孔碳化硅Schottky紫外探测器光电特性仿真 | 第48-56页 |
| 3.2.1 多孔 4H-SiC紫外探测器器件结构 | 第48-49页 |
| 3.2.2 多孔 4H-SiC材料光学参数的获取 | 第49-51页 |
| 3.2.3 光谱响应曲线、量子效率和响应度 | 第51-53页 |
| 3.2.4 光电流和暗电流 | 第53-55页 |
| 3.2.5 响应时间 | 第55-56页 |
| 3.3 讨论与分析 | 第56-60页 |
| 3.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第四章 总结和展望 | 第61-63页 |
| 4.1 总结 | 第61-62页 |
| 4.2 展望 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 附件 | 第71页 |
