掺氢AZO薄膜的制备及热稳定性的研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-23页 |
| 1.1 透明导电薄膜的研究背景及应用 | 第12-13页 |
| 1.2 AZO薄膜的研究概述 | 第13-16页 |
| 1.2.1 ZnO的基本性质 | 第13-14页 |
| 1.2.2 AZO薄膜的导电机制 | 第14-15页 |
| 1.2.3 AZO薄膜的光电特性 | 第15-16页 |
| 1.3 H-Al共掺ZnO薄膜的研究概述 | 第16-20页 |
| 1.3.1 H在AZO薄膜中的存在状态 | 第16-17页 |
| 1.3.2 H对AZO薄膜光电性能的影响 | 第17-19页 |
| 1.3.3 H对AZO薄膜结构和形貌的影响 | 第19-20页 |
| 1.4 退火处理对H-AZO薄膜性能的影响 | 第20-22页 |
| 1.5 论文研究的主要内容 | 第22-23页 |
| 第二章 H-AZO薄膜的制备与表征方法 | 第23-34页 |
| 2.1 AZO薄膜的制备方法 | 第23-25页 |
| 2.1.1 磁控溅射镀膜 | 第23页 |
| 2.1.2 脉冲激光沉积镀膜 | 第23-24页 |
| 2.1.3 化学气相沉积镀膜 | 第24页 |
| 2.1.4 溶胶-凝胶法制膜 | 第24-25页 |
| 2.1.5 超声喷雾热解法 | 第25页 |
| 2.2 实验设备及操作步骤介绍 | 第25-29页 |
| 2.2.1 实验仪器介绍 | 第25-26页 |
| 2.2.2 实验靶材 | 第26页 |
| 2.2.3 衬底的清洗 | 第26-27页 |
| 2.2.4 仪器操作步骤 | 第27-29页 |
| 2.3 H-AZO薄膜的表征方法 | 第29-33页 |
| 2.3.1 紫外-可见光分光光度计 | 第29-30页 |
| 2.3.2 X射线衍射（XRD） | 第30-31页 |
| 2.3.3 扫描电子显微镜（SEM） | 第31-32页 |
| 2.3.4 霍尔测量系统 | 第32-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 直流磁控溅射制备H-AZO薄膜 | 第34-52页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 H_2流量对薄膜的影响 | 第34-44页 |
| 3.2.1 H_2流量对薄膜微结构的影响 | 第35-38页 |
| 3.2.2 H_2流量对薄膜形貌的影响 | 第38-39页 |
| 3.2.3 H_2流量对薄膜电学性能的影响 | 第39-42页 |
| 3.2.4 H_2流量对薄膜光学性能的影响 | 第42-44页 |
| 3.3 衬底温度对薄膜性能的影响 | 第44-50页 |
| 3.3.1 衬底温度对薄膜微结构的影响 | 第45-46页 |
| 3.3.2 衬底温度对薄膜形貌的影响 | 第46-47页 |
| 3.3.3 衬底温度对薄膜电学性能的影响 | 第47-49页 |
| 3.3.4 衬底温度对薄膜光学性能的影响 | 第49-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 退火处理对H-AZO薄膜性能的影响 | 第52-66页 |
| 4.1 引言 | 第52页 |
| 4.2 200℃退火对薄膜光电性能的影响 | 第52-55页 |
| 4.2.1 退火样品和参数介绍 | 第52页 |
| 4.2.2 退火对薄膜电学性能的影响 | 第52-53页 |
| 4.2.3 退火对薄膜光学性能的影响 | 第53-55页 |
| 4.3 300、400℃退火对薄膜性能的影响 | 第55-64页 |
| 4.3.1 退火样品和参数介绍 | 第55页 |
| 4.3.2 退火对薄膜电学性能的影响 | 第55-60页 |
| 4.3.3 退火对薄膜光学性能的影响 | 第60-62页 |
| 4.3.4 退火对薄膜微结构的影响 | 第62-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 总结 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 个人简历与硕士期间发表的论文 | 第72-73页 |
| 个人简历 | 第72页 |
| 硕士期间发表论文 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
