硫化锌中硫空位的第一性原理研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-19页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 光催化制氢原理简介 | 第11-12页 |
| 1.3 硫化锌的晶体结构 | 第12-13页 |
| 1.4 硫化锌的电子结构 | 第13页 |
| 1.5 半导体中点缺陷的第一性原理计算 | 第13-17页 |
| 1.5.1 点缺陷和杂质缺陷在半导体中扮演的作用 | 第14-15页 |
| 1.5.2 形成能 | 第15-16页 |
| 1.5.3 半导体中热力学跃迁能级 | 第16-17页 |
| 1.6 本文研究的主要内容 | 第17-19页 |
| 第二章 理论计算方法 | 第19-29页 |
| 2.1 引言 | 第19-20页 |
| 2.2 密度泛函理论（DFT） | 第20-27页 |
| 2.2.1 全同多电子体系 | 第20-22页 |
| 2.2.2 Hartree-Fock近似 | 第22-24页 |
| 2.2.3 密度泛函理论 | 第24-27页 |
| 2.3 杂化泛函-HSE | 第27-29页 |
| 第三章 硫化锌本征缺陷研究 | 第29-45页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 计算方法 | 第29-30页 |
| 3.3 优化晶格常数 | 第30-31页 |
| 3.4 带电S空位的结构驰豫 | 第31-32页 |
| 3.5 形成能 | 第32-36页 |
| 3.6 热力学跃迁能级 | 第36-38页 |
| 3.7 电子结构 | 第38-44页 |
| 3.8 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 S空位浓度对其的光学性质的影响 | 第45-53页 |
| 4.1 引言 | 第45页 |
| 4.2 计算方法 | 第45页 |
| 4.3 不同S空位浓度ZnS的能带结构 | 第45-50页 |
| 4.4 不同S空位浓度ZnS的光学吸收性质 | 第50-52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
