| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-17页 |
| 1.1 薄膜材料的研究进展 | 第12页 |
| 1.2 氮化铝(AlN)的概述 | 第12-14页 |
| 1.3 AlN薄膜研究现状 | 第14-15页 |
| 1.4 论文的研究意义和主要研究内容 | 第15-17页 |
| 第二章 Zr掺杂氮化铝薄膜的制备方法和表征方法 | 第17-27页 |
| 2.1 薄膜的制备系统 | 第17-20页 |
| 2.1.1 溅射现象与机理 | 第17-18页 |
| 2.1.2 直流反应磁控溅射 | 第18-19页 |
| 2.1.3 实验设备 | 第19-20页 |
| 2.2 Zr掺杂氮化铝薄膜的制备 | 第20-21页 |
| 2.2.1 玻璃基底预处理 | 第20页 |
| 2.2.2 钼金属层沉积 | 第20-21页 |
| 2.2.3 氮铝锆薄膜沉积 | 第21页 |
| 2.3 Zr掺杂氮化铝薄膜的表征方法 | 第21-27页 |
| 2.3.1 X射线衍射 | 第21-22页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 | 第22-23页 |
| 2.3.3 原子力显微镜 | 第23-24页 |
| 2.3.4 台阶仪 | 第24页 |
| 2.3.5 紫外-可见分光光度计 | 第24-25页 |
| 2.3.6 原位纳米力学测试系统 | 第25页 |
| 2.3.7 阻抗分析仪 | 第25-26页 |
| 2.3.8 半导体特性分析系统 | 第26-27页 |
| 第三章 Zr掺杂AlN薄膜的制备及其结构形貌的研究 | 第27-67页 |
| 3.1 AlN薄膜的晶体结构分析 | 第27-41页 |
| 3.1.1 平衡直流反应磁控溅射AlN薄膜晶体结构分析 | 第27-32页 |
| 3.1.2 非平衡直流反应磁控溅射AlN薄膜的晶体结构分析 | 第32-41页 |
| 3.2 Zr掺杂AlN薄膜结构分析 | 第41-56页 |
| 3.2.1 Zr浓度对ZrAlN薄膜结构的影响 | 第41-44页 |
| 3.2.2 工作气体对Zr_(0.11)Al_(0.89)N薄膜结构的影响 | 第44-49页 |
| 3.2.3 温度对Zr_(0.11)Al_(0.89)N薄膜结构的影响 | 第49-54页 |
| 3.2.4 过渡层对Zr_(0.11)Al_(0.89)N薄膜结构的影响 | 第54-56页 |
| 3.3 Zr掺杂氮化铝薄膜的表面形貌和沉积速率分析 | 第56-65页 |
| 3.3.1 AlN薄膜的形貌分析 | 第56-59页 |
| 3.3.2 Zr掺杂氮化铝薄膜的表面形貌分析 | 第59-64页 |
| 3.3.3 Zr掺杂氮化铝薄膜的沉积速度分析 | 第64-65页 |
| 3.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 第四章 Zr掺杂AlN薄膜的性能分析 | 第67-83页 |
| 4.1 Zr掺杂AlN薄膜的力学性能分析 | 第67-71页 |
| 4.1.1 Zr浓度对ZrAlN薄膜力学性能的影响 | 第67-69页 |
| 4.1.2 工作气氛对Zr_(0.11)Al_(0.89)N薄膜力学性能的影响 | 第69-70页 |
| 4.1.3 温度对Zr_(0.11)Al_(0.89)N薄膜力学性能的影响 | 第70-71页 |
| 4.2 Zr掺杂氮化铝薄膜的光学性能分析 | 第71-74页 |
| 4.2.1 Zr浓度对ZrAlN薄膜光学性能的影响 | 第71-73页 |
| 4.2.2 工作气体对Zr_(0.11)Al_(0.89)N薄膜光学性能的影响 | 第73-74页 |
| 4.2.3 温度对Zr_(0.11)Al_(0.89)N薄膜光学性能的影响 | 第74页 |
| 4.3 Zr掺杂氮化铝薄膜的电学性能分析 | 第74-81页 |
| 4.3.1 Zr掺杂氮化铝薄膜漏电和电阻率分析 | 第75-78页 |
| 4.3.2 Zr掺杂氮化铝薄膜的介电性能分析 | 第78-81页 |
| 4.4 本章小结 | 第81-83页 |
| 第五章 结论与展望 | 第83-85页 |
| 5.1 总结 | 第83-84页 |
| 5.2 展望 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-90页 |
| 攻读硕士学位期间公开发表论文/申请专利 | 第90-91页 |
| 致谢 | 第91页 |
