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基于合成的SiO2纳米球制备GaAs纳米线阵列光阴极研究

摘要第3-4页
Abstract第4-5页
1 绪论第10-20页
    1.1 光电阴极的概述第10页
    1.2 光阴极的研究背景及意义第10-12页
        1.2.1 研究背景第10-11页
        1.2.2 国内外研究现状第11-12页
    1.3 GaAs纳米线阵列光阴极研究背景与意义第12-18页
        1.3.1 GaAs纳米线的意义第12-13页
        1.3.2 GaAs纳米线阵列光阴极的现状第13-14页
        1.3.3 纳米线的制备方法第14-18页
    1.4 论文主要结构第18-20页
2 GaAs纳米线阵列光阴极光电流理论分析第20-28页
    2.1 GaAs纳米线阵列光阴极理论模型第20-22页
        2.1.1 GaAs纳米线阵列光阴极理论模型第20-21页
        2.1.2 GaAs纳米线阵列光阴极模型方程第21-22页
    2.2 GaAs纳米线阵列光阴极光电流的仿真分析第22-26页
        2.2.1 入射光角度对光阴极电流的影响第23-24页
        2.2.2 纳米线高度对光阴极电流的影响第24页
        2.2.3 纳米线直径对光阴极电流的影响第24-25页
        2.2.4 不同占空比对光阴极电流的影响第25-26页
    2.3 本章小结第26-28页
3 单层SiO_2纳米球掩模层的制备第28-42页
    3.1 GaAs纳米线阵列制备工艺第28-29页
    3.2 SiO_2纳米球制备方法第29-32页
        3.2.1 气相法第29-30页
        3.2.2 沉淀法第30页
        3.2.3 Sol-Gel法第30-31页
        3.2.4 水热合成法第31页
        3.2.5 超重力反应法第31页
        3.2.6 微乳液反应法第31-32页
        3.2.7 其他制备方法第32页
    3.3 Stober法合成SiO_2纳米球实验第32-35页
        3.3.1 主要仪器与试剂第32-34页
        3.3.2 直径 350nm SiO_2纳米球合成实验第34页
        3.3.3 直径 500nm SiO_2纳米球合成实验第34-35页
    3.4 合成SiO_2纳米球的表征分析第35-38页
        3.4.1 表面形貌的SEM分析第35-36页
        3.4.2 物质成分与晶体结构的XRD分析第36-38页
    3.5 SiO_2纳米球掩模层的制备第38-41页
        3.5.1 垂直沉积法制备掩模层第38-40页
        3.5.2 旋涂法制备掩模层第40页
        3.5.3 两种掩模层制备方法的比较第40-41页
    3.6 本章小结第41-42页
4 GaAs纳米线阵列光阴极的制备第42-62页
    4.1 GaAs纳米线阵列的刻蚀工艺第42-55页
        4.1.1 ICP刻蚀的介绍第42-43页
        4.1.2 刻蚀减小SiO_2纳米球第43-46页
        4.1.3 ICP刻蚀制备GaAs纳米线阵列第46-55页
    4.2 GaAs纳米线阵列表征分析第55-57页
        4.2.1 台阶仪分析第55页
        4.2.2 AFM分析第55-56页
        4.2.3 漫反射谱分析第56-57页
    4.3 GaAs纳米线阵列激活工艺第57-61页
        4.3.1 GaAs纳米线阵列净化工艺第58页
        4.3.2 GaAs纳米线阵列Cs、F激活第58-60页
        4.3.3 纳米线阵列与基片阴极量子效率的比较第60-61页
    4.4 本章小结第61-62页
5 结论第62-64页
    5.1 总结第62-63页
    5.2 展望第63-64页
致谢第64-66页
参考文献第66-70页

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