| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 光电阴极的概述 | 第10页 |
| 1.2 光阴极的研究背景及意义 | 第10-12页 |
| 1.2.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2.2 国内外研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 GaAs纳米线阵列光阴极研究背景与意义 | 第12-18页 |
| 1.3.1 GaAs纳米线的意义 | 第12-13页 |
| 1.3.2 GaAs纳米线阵列光阴极的现状 | 第13-14页 |
| 1.3.3 纳米线的制备方法 | 第14-18页 |
| 1.4 论文主要结构 | 第18-20页 |
| 2 GaAs纳米线阵列光阴极光电流理论分析 | 第20-28页 |
| 2.1 GaAs纳米线阵列光阴极理论模型 | 第20-22页 |
| 2.1.1 GaAs纳米线阵列光阴极理论模型 | 第20-21页 |
| 2.1.2 GaAs纳米线阵列光阴极模型方程 | 第21-22页 |
| 2.2 GaAs纳米线阵列光阴极光电流的仿真分析 | 第22-26页 |
| 2.2.1 入射光角度对光阴极电流的影响 | 第23-24页 |
| 2.2.2 纳米线高度对光阴极电流的影响 | 第24页 |
| 2.2.3 纳米线直径对光阴极电流的影响 | 第24-25页 |
| 2.2.4 不同占空比对光阴极电流的影响 | 第25-26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-28页 |
| 3 单层SiO_2纳米球掩模层的制备 | 第28-42页 |
| 3.1 GaAs纳米线阵列制备工艺 | 第28-29页 |
| 3.2 SiO_2纳米球制备方法 | 第29-32页 |
| 3.2.1 气相法 | 第29-30页 |
| 3.2.2 沉淀法 | 第30页 |
| 3.2.3 Sol-Gel法 | 第30-31页 |
| 3.2.4 水热合成法 | 第31页 |
| 3.2.5 超重力反应法 | 第31页 |
| 3.2.6 微乳液反应法 | 第31-32页 |
| 3.2.7 其他制备方法 | 第32页 |
| 3.3 Stober法合成SiO_2纳米球实验 | 第32-35页 |
| 3.3.1 主要仪器与试剂 | 第32-34页 |
| 3.3.2 直径 350nm SiO_2纳米球合成实验 | 第34页 |
| 3.3.3 直径 500nm SiO_2纳米球合成实验 | 第34-35页 |
| 3.4 合成SiO_2纳米球的表征分析 | 第35-38页 |
| 3.4.1 表面形貌的SEM分析 | 第35-36页 |
| 3.4.2 物质成分与晶体结构的XRD分析 | 第36-38页 |
| 3.5 SiO_2纳米球掩模层的制备 | 第38-41页 |
| 3.5.1 垂直沉积法制备掩模层 | 第38-40页 |
| 3.5.2 旋涂法制备掩模层 | 第40页 |
| 3.5.3 两种掩模层制备方法的比较 | 第40-41页 |
| 3.6 本章小结 | 第41-42页 |
| 4 GaAs纳米线阵列光阴极的制备 | 第42-62页 |
| 4.1 GaAs纳米线阵列的刻蚀工艺 | 第42-55页 |
| 4.1.1 ICP刻蚀的介绍 | 第42-43页 |
| 4.1.2 刻蚀减小SiO_2纳米球 | 第43-46页 |
| 4.1.3 ICP刻蚀制备GaAs纳米线阵列 | 第46-55页 |
| 4.2 GaAs纳米线阵列表征分析 | 第55-57页 |
| 4.2.1 台阶仪分析 | 第55页 |
| 4.2.2 AFM分析 | 第55-56页 |
| 4.2.3 漫反射谱分析 | 第56-57页 |
| 4.3 GaAs纳米线阵列激活工艺 | 第57-61页 |
| 4.3.1 GaAs纳米线阵列净化工艺 | 第58页 |
| 4.3.2 GaAs纳米线阵列Cs、F激活 | 第58-60页 |
| 4.3.3 纳米线阵列与基片阴极量子效率的比较 | 第60-61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-62页 |
| 5 结论 | 第62-64页 |
| 5.1 总结 | 第62-63页 |
| 5.2 展望 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-70页 |