摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第1章 绪论 | 第11-35页 |
1.1 黑磷的结构和基本性质 | 第13-16页 |
1.1.1 磷的同素异形体 | 第13-15页 |
1.1.2 黑磷的晶体结构 | 第15页 |
1.1.3 黑磷的电子结构 | 第15-16页 |
1.2 块体单晶黑磷的制备方法 | 第16-20页 |
1.2.1 高压法 | 第16-17页 |
1.2.2 汞催化法 | 第17-18页 |
1.2.3 铋重结晶法 | 第18-19页 |
1.2.4 气相输运法 | 第19-20页 |
1.3 单层及多层黑磷薄膜的制备方法 | 第20-23页 |
1.3.1 机械剥离法 | 第20-21页 |
1.3.2 液相剥离法 | 第21-22页 |
1.3.3 离子轰击法和纳米刻蚀法 | 第22-23页 |
1.4 黑磷物性的各向异性 | 第23-28页 |
1.4.1 电学各向异性 | 第24-25页 |
1.4.2 光学各向异性 | 第25-27页 |
1.4.3 热学各向异性 | 第27-28页 |
1.5 单层或多层黑磷的应用 | 第28-33页 |
1.5.1 场效应晶体管 | 第28-30页 |
1.5.2 光探测器 | 第30-32页 |
1.5.3 电池储能 | 第32-33页 |
1.6 本文的主要研究内容和研究思路 | 第33-35页 |
第2章 温差法制备黑磷单晶 | 第35-42页 |
2.1 引言 | 第35页 |
2.2 实验方法 | 第35-37页 |
2.2.1 块体黑磷单晶的合成 | 第35-36页 |
2.2.2 黑磷的结构表征方法 | 第36-37页 |
2.3 块体黑磷的形貌与晶体结构 | 第37-39页 |
2.4 化学气相输运法的生长模型 | 第39-40页 |
2.5 温差法存在的问题与讨论 | 第40-41页 |
2.6 本章小结 | 第41-42页 |
第3章 恒温法制备黑磷单晶 | 第42-48页 |
3.1 引言 | 第42页 |
3.2 实验方法 | 第42-43页 |
3.2.1 黑磷单晶的合成 | 第42-43页 |
3.2.2 黑磷单晶的结构表征方法 | 第43页 |
3.3 黑磷的形貌与晶体结构表征 | 第43-46页 |
3.4 恒温法制备黑磷的问题与讨论 | 第46-47页 |
3.5 本章小结 | 第47-48页 |
第4章 黑磷生长机理的系统性研究 | 第48-73页 |
4.1 引言 | 第48页 |
4.2 实验方法 | 第48-50页 |
4.2.1 黑磷生长的实验设计 | 第48-49页 |
4.2.2 黑磷不同生长阶段的监测 | 第49页 |
4.2.3 不同金属与卤化物组合生长黑磷 | 第49-50页 |
4.2.4 黑磷的形貌结构表征 | 第50页 |
4.3 黑磷生长的初步研究 | 第50-52页 |
4.4 黑磷生长过程的观察与讨论 | 第52-53页 |
4.5 原料组成对黑磷生长的影响 | 第53-62页 |
4.5.1 不同金属与卤化物组合生长黑磷的结构分析 | 第53-57页 |
4.5.2 生长黑磷的副产物 | 第57-60页 |
4.5.3 碘的质量对黑磷生长的影响 | 第60-61页 |
4.5.4 金属(或合金)在黑磷生长过程中的作用 | 第61-62页 |
4.6 黑磷的生长模型 | 第62-65页 |
4.7 温度梯度对黑磷生长的影响 | 第65-67页 |
4.8 黑磷薄膜制备的探索 | 第67-71页 |
4.8.1 研究背景 | 第67-68页 |
4.8.2 实验方法 | 第68页 |
4.8.3 实验结果与分析 | 第68-71页 |
4.9 本章小结 | 第71-73页 |
第5章 多层黑磷微米带的电输运研究 | 第73-86页 |
5.1 引言 | 第73页 |
5.2 实验方法 | 第73-78页 |
5.2.1 块体黑磷晶体的合成 | 第73-74页 |
5.2.2 多层黑磷薄膜的制备与结构表征 | 第74页 |
5.2.3 MOS场效应晶体管的原理与性能参数 | 第74-76页 |
5.2.4 基于多层黑磷薄膜的场效应晶体管的制作与测试 | 第76-78页 |
5.3 机械剥离法制备单层或多层黑磷薄膜 | 第78-81页 |
5.4 多层黑磷薄膜场效应晶体管的性能测试 | 第81-84页 |
5.5 真空退火对晶体管性能的影响 | 第84-85页 |
5.6 本章小结 | 第85-86页 |
第6章 总结与展望 | 第86-88页 |
6.1 总结 | 第86-87页 |
6.2 展望 | 第87-88页 |
参考文献 | 第88-102页 |
致谢 | 第102-103页 |
个人简历 | 第103-104页 |
攻读学位期间发表的论文 | 第104-105页 |