| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| Abstract | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第15-36页 |
| 1.1 引言 | 第15-16页 |
| 1.2 当前二维层状材料的合成与制备 | 第16-23页 |
| 1.2.1 化学气相沉积法(CVD) | 第17页 |
| 1.2.2 脉冲激光沉积法(PLD) | 第17-19页 |
| 1.2.3 磁控溅射法 | 第19-20页 |
| 1.2.4 机械剥离法 | 第20-21页 |
| 1.2.5 液相合成法 | 第21-23页 |
| 1.3 半导体纳米材料的表征 | 第23-29页 |
| 1.4 光电探测器的介绍 | 第29-34页 |
| 1.4.1 光电探测器的分类 | 第29-31页 |
| 1.4.2 光电探测器的性能参数 | 第31-33页 |
| 1.4.3 光电探测器的表征 | 第33-34页 |
| 1.5 本课题研究内容与选题依据 | 第34-36页 |
| 第二章 二维层状硒化钼的合成 | 第36-42页 |
| 2.1 引言 | 第36页 |
| 2.2 溶液法合成MoSe_2纳米片 | 第36-38页 |
| 2.3 PLD法制备MoSe_2纳米材料 | 第38-41页 |
| 2.3.1 PLD法制备MoSe_2过程 | 第38-39页 |
| 2.3.2 MoSe_2材料表征 | 第39-41页 |
| 2.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 二维硒化钼异质结光电探测器的制备及性能研究 | 第42-58页 |
| 3.1 引言 | 第42页 |
| 3.2 石墨烯的合成与表征 | 第42-44页 |
| 3.2.1 石墨烯的合成 | 第42-43页 |
| 3.2.2 石墨烯的表征 | 第43-44页 |
| 3.3 基于MoSe2纳米片的光电探测器的制备及其性能研究 | 第44-50页 |
| 3.3.1 基于溶液法合成MoSe_2 NSs/Si vdWH的制备 | 第44-45页 |
| 3.3.2 光电探测器的电极制备 | 第45-46页 |
| 3.3.3 基于溶液法合成MoSe_2纳米片的光电器件性能研究 | 第46-50页 |
| 3.4 基于PLD方法制备光电探测器及其性能研究 | 第50-56页 |
| 3.4.1 基于PLD方法制备的n-n Si/MoSe_2异质结 | 第50页 |
| 3.4.2 n-n Si/MoSe_2 vHPDs的电极制备 | 第50-51页 |
| 3.4.3 PLD方法制备n-n Si/MoSe_2 vHPDs的性能研究 | 第51-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 第四章 全文总结与展望 | 第58-60页 |
| 4.1 本文主要研究内容与结论 | 第58页 |
| 4.2 展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-67页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第67页 |
