碳化硅二极管性能分析模拟研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·本文的背景 | 第8页 |
| ·国内外研究进展 | 第8-10页 |
| ·主要内容 | 第10-12页 |
| 第二章 不同结构碳化硅二极管的正向模拟 | 第12-22页 |
| ·碳化硅材料的结构和性质 | 第12-15页 |
| ·碳化硅晶体结构 | 第12-13页 |
| ·碳化硅能带结构 | 第13-14页 |
| ·碳化硅杂质分布 | 第14-15页 |
| ·不同晶体结构二极管的模拟研究 | 第15-19页 |
| ·正向工作区仿真 | 第15-17页 |
| ·高温条件下仿真 | 第17-19页 |
| ·本章小结 | 第19-22页 |
| 第三章 4H-SiC二极管的参数提取 | 第22-36页 |
| ·仿真模型的建立 | 第22-28页 |
| ·载流子迁移率 | 第22-25页 |
| ·低电场迁移率模型 | 第22-24页 |
| ·载流子运输模型 | 第24-25页 |
| ·载流子产生-复合 | 第25-27页 |
| ·SRH模型 | 第25-26页 |
| ·俄歇复合模型 | 第26-27页 |
| ·碰撞离化模型 | 第27-28页 |
| ·4H-SiC pn结二极管的模拟 | 第28-32页 |
| ·4H-SiC二极管高温特性 | 第28-29页 |
| ·4H-SiC二极管理想因子 | 第29-30页 |
| ·4H-SiC二极管反向特性 | 第30-31页 |
| ·击穿电压的影响因素 | 第31-32页 |
| ·Si和SiC二极管对比分析 | 第32-35页 |
| ·Si和SiC二极管I-V特性 | 第32-33页 |
| ·电流随温度变化趋势 | 第33-34页 |
| ·扩散区电流范围对比 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 SiC二极管的仿真软件开发 | 第36-46页 |
| ·C#使用原理 | 第36-37页 |
| ·C#使用方法研究 | 第37-40页 |
| ·窗体工作原理 | 第37-38页 |
| ·窗体控件设置 | 第38-40页 |
| ·仿真数据窗体实现 | 第40-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第五章 结论 | 第46-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第52-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
