| 作者简介 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·相控阵雷达技术的发展 | 第10-16页 |
| ·有源相控阵收发组件 | 第16-17页 |
| ·单片集成微波组件 | 第17-19页 |
| ·论文的组织和结构 | 第19-22页 |
| 第二章 有源相控阵收发组件结构 | 第22-32页 |
| ·收发组件的功能 | 第22-23页 |
| ·收发组件基本结构 | 第23-29页 |
| ·射频收发结构 | 第23-25页 |
| ·中频收发组件 | 第25-28页 |
| ·数字收发组件 | 第28-29页 |
| ·宽禁带半导体技术 | 第29-30页 |
| ·小结 | 第30-32页 |
| 第三章 基于硅工艺的收发组件设计 | 第32-70页 |
| ·传输线建模 | 第32-39页 |
| ·CMOS 工艺传输线 | 第32-34页 |
| ·品质因数 | 第34-35页 |
| ·传输线 ADS 模型 | 第35-39页 |
| ·低噪声放大器 | 第39-45页 |
| ·MOS 噪声模型 | 第40-41页 |
| ·LNA 电路设计 | 第41-42页 |
| ·结果及分析 | 第42-45页 |
| ·功率放大器设计 | 第45-47页 |
| ·CMOS 工艺功放设计挑战 | 第45页 |
| ·两级共源共栅设计 | 第45-46页 |
| ·仿真结果 | 第46-47页 |
| ·收发组件 | 第47-49页 |
| ·开关设计 | 第47-48页 |
| ·收发组件 | 第48-49页 |
| ·混频器 | 第49-56页 |
| ·二极管混频器 | 第50-51页 |
| ·Balun 设计 | 第51-53页 |
| ·Mixer | 第53-56页 |
| ·高隔离度开关设计 | 第56-62页 |
| ·CMOS 开关晶体管等效模型 | 第56-58页 |
| ·电路设计 | 第58-60页 |
| ·仿真分析及版图 | 第60-62页 |
| ·超宽带低噪声放大器设计 | 第62-67页 |
| ·电路分析与设计 | 第63-66页 |
| ·结果与讨论 | 第66-67页 |
| ·本章小结 | 第67-70页 |
| 第四章 砷化镓工艺六位移相器设计 | 第70-86页 |
| ·数字移相器性能指标 | 第70-71页 |
| ·移相器分类 | 第71-75页 |
| ·反射型移相器 | 第71-72页 |
| ·传输型移相器 | 第72-75页 |
| ·S 波段砷化镓六位移相器设计 | 第75-83页 |
| ·45°、90°、180°设计 | 第75-77页 |
| ·22.5°、11.25°设计 | 第77-79页 |
| ·5.625°设计 | 第79-80页 |
| ·电路优化 | 第80-81页 |
| ·测试结果 | 第81-83页 |
| ·C 波段砷化镓六位移相器设计 | 第83-85页 |
| ·本章小结 | 第85-86页 |
| 第五章 氮化镓微波控制晶体管建模及电平转换电路设计 | 第86-102页 |
| ·基于氮化镓工艺的微波电路设计优点 | 第86-88页 |
| ·氮化镓工艺开关控制器件建模 | 第88-94页 |
| ·氮化镓 HEMT 开关器件物理结构与等效模型 | 第89-91页 |
| ·模型验证 | 第91-94页 |
| ·氮化镓基 MMIC 中的无源器件 | 第94-97页 |
| ·电容 | 第94-95页 |
| ·电感 | 第95页 |
| ·微带线及接地通孔 | 第95-97页 |
| ·氮化镓基 E/D 模电平转换电路设计 | 第97-100页 |
| ·电路设计 | 第97-99页 |
| ·版图设计 | 第99-100页 |
| ·小结 | 第100-102页 |
| 第六章 结束语 | 第102-104页 |
| 致谢 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-118页 |
| 博士期间研究成果 | 第118-119页 |