| 目录 | 第1-6页 |
| CONTENTS | 第6-8页 |
| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-17页 |
| ·课题背景 | 第12-14页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT研究现状 | 第14-16页 |
| ·论文工作及内容安排 | 第16-17页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT工作原理 | 第17-26页 |
| ·Al_xGa(1-x)N/GaN材料的基本特性 | 第17-21页 |
| ·GaN的材料特性 | 第17-19页 |
| ·AlN的材料特性 | 第19-20页 |
| ·Al_xGa(1-x)N的材料特性 | 第20-21页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT的结构 | 第21-23页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT的工作原理 | 第23-26页 |
| ·极化效应 | 第23-24页 |
| ·异质结特性 | 第24-25页 |
| ·小结 | 第25-26页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMT的结构设计 | 第26-34页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT的结构尺寸 | 第26-27页 |
| ·结构模拟工具——SDE | 第27-28页 |
| ·结构模拟方案 | 第28-29页 |
| ·结构设计方案 | 第28-29页 |
| ·网格设计方案 | 第29页 |
| ·结构模拟结果 | 第29-34页 |
| ·输出结果查看工具 | 第29-31页 |
| ·结构模拟结果 | 第31-32页 |
| ·网格设置结果 | 第32-34页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMT的物理模型 | 第34-46页 |
| ·基本方程 | 第34-35页 |
| ·泊松方程 | 第34页 |
| ·电子、空穴连续性方程 | 第34-35页 |
| ·费米统计 | 第35页 |
| ·输运模型 | 第35-37页 |
| ·漂移-扩散模型 | 第35-36页 |
| ·热力学模型 | 第36页 |
| ·流体力学模型 | 第36-37页 |
| ·复合模型 | 第37-38页 |
| ·迁移率模型 | 第38-42页 |
| ·常数迁移率模型Constant Mobility | 第39页 |
| ·高场迁移率(HighField-dependent Mobility)模型 | 第39-42页 |
| ·能带结构 | 第42-43页 |
| ·极化模型 | 第43-46页 |
| 第五章 AlGaN/GaN HEMT的器件特性模拟 | 第46-68页 |
| ·器件模拟工具——Sentaurus Device | 第46-47页 |
| ·模拟方案 | 第47-49页 |
| ·器件特性模拟结果 | 第49-68页 |
| ·与实验测量值的对比 | 第49-50页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT直流特性 | 第50-55页 |
| ·AlGaN/GaN HEMT小信号特性分析 | 第55-57页 |
| ·器件参数对AlGaN/GaN HEMT特性的影响 | 第57-68页 |
| 结束语 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第75-76页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第76页 |
