| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 目录 | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-24页 |
| §1.1 Ⅲ族氮化物材料的研究背景与意义 | 第13-23页 |
| §1.1 1. Ⅲ族氮化物材料的特性 | 第14-16页 |
| §1.1.2. Ⅲ族氮化物材料的主要应用 | 第16-23页 |
| §1.1.2.1 GaN基发光二极管 | 第16-17页 |
| §1.1.2.2 GaN基半导体激光器 | 第17-18页 |
| §1.1.2.3 GaN基微波功率器件 | 第18-21页 |
| §1.1.2.4 GaN基太赫兹器件 | 第21-23页 |
| §1.2 本文的主要研究内容 | 第23-24页 |
| 第二章 反应室结构对GaN外延材料厚度分布的影响 | 第24-45页 |
| §2.1 GaN外延材料生长技术与衬底 | 第24-36页 |
| §2.1.1 GaN外延材料生长技术 | 第24-33页 |
| §2.1.1.1 MOCVD技术 | 第25-29页 |
| §2.1.1.2 MBE技术 | 第29-31页 |
| §2.1.1.3 HVPE技术 | 第31-33页 |
| §2.1.2 GaN异质外延衬底 | 第33-36页 |
| §2.1.2.1 蓝宝石衬底 | 第33-35页 |
| §2.1.2.2 SiC衬底 | 第35页 |
| §2.1.2.3 Si衬底 | 第35-36页 |
| §2.2 MOCVD反应室结构对GaN外延材料厚度分布的影响 | 第36-44页 |
| §2.2.1 XD MOCVD-120反应室的热场模拟 | 第36-38页 |
| §2.2.2 XD MOCVD-120反应室的流场模拟 | 第38页 |
| §2.2.3 喷淋头结构对GaN外延层厚度均匀性的影响 | 第38-44页 |
| §2.3 本章小结 | 第44-45页 |
| 第三章 生长压强对GaN材料特性的影响 | 第45-58页 |
| §3.1 生长压强对GaN材料结构特性的影响 | 第45-50页 |
| §3.1.1 材料生长 | 第46页 |
| §3.1.2 生长压强对GaN材料生长速率和结构特性的影响 | 第46-50页 |
| §3.2 生长压强对GaN外延层杂质浓度和电特性的影响 | 第50-57页 |
| §3.2.1 范德堡(Van der Pauw)法 | 第50-51页 |
| §3.2.2 霍耳(Hall)效应 | 第51-53页 |
| §3.2.3 电容-电压(C-V)测量 | 第53-55页 |
| §3.2.4 生长压强对GaN外延层杂质浓度和电特性的影响 | 第55-57页 |
| §3.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 常规AlGaN/GaN异质结材料的生长与研究 | 第58-73页 |
| §4.1 AlGaN/GaN异质结材料的二维电子气 | 第58-63页 |
| §4.1.1. AlGaN/GaN异质结的导带断续 | 第58-59页 |
| §4.1.2. AlGaN/GaN异质结材料二维电子气的形成 | 第59-63页 |
| §4.2 常规AlGaN/GaN异质结材料的生长与研究 | 第63-70页 |
| §4.2.1. 常规AlGaN/GaN异质结材料的生长 | 第63页 |
| §4.2.2. AlGaN/GaN异质结材料的X射线衍射表征 | 第63-66页 |
| §4.2.3. AlGaN/GaN异质结材料电学特性的表征 | 第66-70页 |
| §4.3 AlGaN/AlN/GaN异质结材料的生长与研究 | 第70-72页 |
| §4.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 第五章 带有AlN插入层的GaN材料的生长与研究 | 第73-83页 |
| §5.1 带有AlN插入层的GaN材料的生长 | 第73-74页 |
| §5.2 带有AlN插入层的GaN材料结构特性的研究 | 第74-77页 |
| §5.2.1. 带有AlN插入层的GaN材料的XRD研究 | 第74-77页 |
| §5.2.2. 变温AlN插入层的GaN薄膜材料的AFM研究 | 第77页 |
| §5.3 带有AlN插入层的GaN材料的应力研究 | 第77-82页 |
| §5.3.1. 带有AlN插入层的GaN材料的PL谱 | 第78-79页 |
| §5.3.2. 变温AlN插入层的GaN材料的Raman散射研究 | 第79-82页 |
| §5.4 本章小结 | 第82-83页 |
| 第六章 带有AlN插入层的AlGaN/GaN异质结材料的生长与研究 | 第83-103页 |
| §6.1 带有AlN插入层的AlGaN/GaN异质结材料的生长 | 第84-85页 |
| §6.2 变温AlN插入层AlGaN/GaN异质结材料的研究 | 第85-90页 |
| §6.2.1. 变温AlN插入层AlGaN/GaN异质结材料结构特性的研究 | 第86-88页 |
| §6.2.2. 变温AlN插入层AlGaN/GaN异质结材料电学特性的研究 | 第88-90页 |
| §6.3 不同AlN插入层数AlGaN/GaN异质结材料的研究 | 第90-93页 |
| §6.3.1. 不同AlN插入层数AlGaN/GaN异质结材料结构特性的研究 | 第90-91页 |
| §6.3.2. 不同AlN插入层数AlGaN/GaN异质结材料电学特性的研究 | 第91-93页 |
| §6.4 高温AlN插入层对AlGaN/GaN异质结材料电学特性的影响 | 第93-101页 |
| §6.4.1. 高温AlN插入层对AlGaN/GaN异质结材料结构和电学特性的影响 | 第93-97页 |
| §6.4.2. AlGaN/GaN异质结材料应力特性的测量与分析 | 第97-100页 |
| §6.4.3. AlGaN/GaN HEMTs器件的研制与特性分析 | 第100-101页 |
| §6.5 本章小结 | 第101-103页 |
| 第七章 结束语 | 第103-107页 |
| 致谢 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-117页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第117-118页 |
