| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| ·引言 | 第11-13页 |
| ·应变技术国内外发展状况 | 第13-24页 |
| ·应变技术主要发展历程 | 第14-16页 |
| ·应力引入方法 | 第16-23页 |
| ·国内应变技术发展情况 | 第23页 |
| ·应变 Si 技术发展趋势 | 第23-24页 |
| ·本论文研究意义和工作内容 | 第24-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第二章 应变 Si 与应变 SiGe 载流子迁移率增强机理研究 | 第27-43页 |
| ·应变产生机理 | 第27-29页 |
| ·应变 Si 载流子迁移率增强机理研究 | 第29-36页 |
| ·应变 Si 电子迁移率增强机理 | 第29-31页 |
| ·应变 Si 空穴迁移率增强机理 | 第31-33页 |
| ·应变 Si 载流子迁移率模型 | 第33-36页 |
| ·应变 SiGe 物理特性研究 | 第36-42页 |
| ·应变 SiGe 能带结构 | 第36-39页 |
| ·应变 SiGe 有效态密度和本证载流子浓度研究 | 第39-40页 |
| ·应变 SiGe 载流子迁移率研究 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第三章 Si 基应变 pMOS 阈值电压和电流特性研究 | 第43-71页 |
| ·应变 Si/SiGe/Si pMOS 器件结构与阈值电压模型 | 第44-53页 |
| ·器件基本结构与工作原理 | 第44-45页 |
| ·器件各层电势分布 | 第45-48页 |
| ·阈值电压模型 | 第48-49页 |
| ·器件结构参数分析 | 第49-53页 |
| ·应变 Si/SiGe pMOS 阈值电压模型和电流模型 | 第53-60页 |
| ·器件基本结构与工作原理 | 第53-54页 |
| ·器件各层电势分布 | 第54-55页 |
| ·阈值电压模型 | 第55-56页 |
| ·I-V 特性模型 | 第56-57页 |
| ·器件结构参数分析 | 第57-60页 |
| ·双应变 Si/Si1-xGex/Si1-yGeypMOS 阈值电压模型 | 第60-69页 |
| ·器件基本结构与工作原理 | 第60-61页 |
| ·器件各层电势分布 | 第61-65页 |
| ·阈值电压模型 | 第65-66页 |
| ·器件结构参数分析 | 第66-69页 |
| ·本章小结 | 第69-71页 |
| 第四章 Si 基应变 nMOS 阈值电压和电流特性研究 | 第71-103页 |
| ·应变 Si/SiGe/Si nMOS 阈值电压模型 | 第71-78页 |
| ·器件基本结构与工作原理 | 第71-72页 |
| ·器件各层电势分布 | 第72-75页 |
| ·器件阈值电压模型 | 第75页 |
| ·器件结构参数分析 | 第75-78页 |
| ·应变 Si/SiGe nMOS 准二维阈值电压模型和电流模型 | 第78-87页 |
| ·器件基本结构与工作原理 | 第78-79页 |
| ·准二维表面势模型 | 第79-81页 |
| ·准二维阈值电压模型 | 第81-82页 |
| ·I-V 电流电压特性模型 | 第82-83页 |
| ·器件结构参数分析 | 第83-87页 |
| ·双应变 Si/Si1-xGex/Si1-yGeynMOS 阈值电压模型 | 第87-95页 |
| ·器件基本结构与工作原理 | 第87-88页 |
| ·器件纵向电势分布 | 第88-90页 |
| ·阈值电压模型 | 第90-92页 |
| ·器件结构参数分析 | 第92-95页 |
| ·漏致势垒降低效应对 nMOSFET 阈值电压的影响 | 第95-100页 |
| ·应变 Si nMOS 阈值电压模型建立 | 第95-98页 |
| ·模型仿真分析 | 第98-100页 |
| ·本章小结 | 第100-103页 |
| 第五章 Si 基应变 CMOS 器件结构设计与制备 | 第103-127页 |
| ·Si 基 CMOS 器件结构参数设计 | 第103-105页 |
| ·应变 Si/SiGe CMOS 器件结构设计 | 第103-104页 |
| ·量子阱沟道 Si/SiGe/Si CMOS 器件结构设计 | 第104-105页 |
| ·Si 基应变 CMOS 器件制备 | 第105-117页 |
| ·低温 Si 技术 | 第105-106页 |
| ·二氧化硅淀积工艺 | 第106-108页 |
| ·退火对器件性能的影响 | 第108-110页 |
| ·LDD 结构对器件性能的影响 | 第110-111页 |
| ·器件制作工艺 | 第111-114页 |
| ·应变 Si/SiGe 材料测试结果 | 第114-116页 |
| ·应变 SiGe 材料测试结果 | 第116-117页 |
| ·Si 基应变 CMOS 器件测试及分析 | 第117-125页 |
| ·应变 Si nMOS 测试结果与分析 | 第118-121页 |
| ·应变 Si pMOS 测试结果与分析 | 第121-122页 |
| ·应变 SiGe 量子阱 pMOS 测试结果与分析 | 第122-123页 |
| ·应变 Si CMOS 测试结果与分析 | 第123-124页 |
| ·Si/SiGe/Si 量子阱 CMOS 反相器测试结果与分析 | 第124-125页 |
| ·本章小结 | 第125-127页 |
| 第六章 结束语 | 第127-129页 |
| 致谢 | 第129-131页 |
| 参考文献 | 第131-147页 |
| 硕博连读期间的研究成果 | 第147-149页 |
