标准单元抗单粒子瞬态效应版图加固技术与验证方法研究
| 摘要 | 第1-10页 |
| ABSTRACT | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| ·研究背景 | 第12-15页 |
| ·空间辐射环境 | 第12-13页 |
| ·辐射效应 | 第13-15页 |
| ·研究现状 | 第15-21页 |
| ·单粒子瞬态效应的研究现状 | 第15-21页 |
| ·抗辐照标准单元库的研究现状 | 第21页 |
| ·课题研究内容 | 第21-22页 |
| ·论文组织结构 | 第22-24页 |
| 第二章 标准单元SET效应的版图加固技术研究 | 第24-38页 |
| ·引言 | 第24-25页 |
| ·双极放大效应的基本原理 | 第25-26页 |
| ·阱/衬底接触对于SET的影响 | 第26-30页 |
| ·阱接触宽度和位置对于PMOS管SET的影响 | 第26-28页 |
| ·衬底接触宽度和位置对于NMOS管SET的影响 | 第28-30页 |
| ·版图中栅的单指长度对于SET的影响 | 第30-35页 |
| ·版图中器件栅极的不同画法 | 第30-31页 |
| ·栅的画法对于SET脉冲宽度的影响 | 第31-34页 |
| ·恢复电路对于双极放大效应的影响 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-38页 |
| 第三章 环形栅结构的SET加固效果研究 | 第38-48页 |
| ·环形栅概述 | 第38-40页 |
| ·环形栅的分类 | 第38-39页 |
| ·环形栅器件的总剂量加固效果 | 第39-40页 |
| ·器件模型设计 | 第40-42页 |
| ·器件版图和尺寸设计 | 第40-41页 |
| ·器件工艺校准 | 第41-42页 |
| ·不同种类环形栅器件SET加固效果比较 | 第42-47页 |
| ·SET脉冲宽度模拟结果比较 | 第43页 |
| ·电荷收集过程的模拟结果分析 | 第43-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 标准单元抗SET能力的模拟评估方法 | 第48-56页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·组合单元抗SET能力模拟评估方法 | 第48-50页 |
| ·评估参数 | 第48-49页 |
| ·模拟方法 | 第49-50页 |
| ·时序单元输入端口抗SET能力定量模拟 | 第50-55页 |
| ·复杂性 | 第50-51页 |
| ·单个单元的模拟思想 | 第51-54页 |
| ·单元库的模拟思想 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 轰击触发器内部节点对于性能影响的定量研究 | 第56-66页 |
| ·引言 | 第56-57页 |
| ·敏感性分析 | 第57-60页 |
| ·定量分析与模拟验证 | 第60-65页 |
| ·理论分析 | 第61-62页 |
| ·激励产生 | 第62-63页 |
| ·模拟验证 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第六章 总结与展望 | 第66-69页 |
| ·工作总结 | 第66-67页 |
| ·工作展望 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-76页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第76页 |
