MEMS兼容压电厚膜驱动技术
摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-10页 |
第1章 绪论 | 第10-28页 |
·引言 | 第10页 |
·MEMS 驱动方式的特点、现状 | 第10-15页 |
·静电驱动 | 第11页 |
·静磁驱动 | 第11-12页 |
·热驱动 | 第12-13页 |
·形状记忆合金驱动 | 第13页 |
·磁致伸缩驱动 | 第13-14页 |
·压电驱动 | 第14-15页 |
·MEMS 中压电驱动的研究进展与分析 | 第15-23页 |
·压电体的压电效应 | 第15-16页 |
·压电驱动机构在微执行器上的应用 | 第16-20页 |
·压电驱动结构的特点与分析 | 第20-21页 |
·压电厚膜的研究现状分析 | 第21-23页 |
·PZT 的丝网印刷和MEMS 兼容性研究现状 | 第23-27页 |
·丝网印刷工艺方法 | 第23-24页 |
·MEMS 兼容性 | 第24-27页 |
·论文工作意义及主要内容 | 第27-28页 |
第2章 硅基PZT 压电厚膜兼容工艺研究 | 第28-52页 |
·PZT 的压电效应 | 第28-32页 |
·PZT 结构特性 | 第28-29页 |
·组成成分对压电性能的影响 | 第29-31页 |
·微观结构对压电性能的影响 | 第31-32页 |
·丝网印刷PZT 的工艺研究 | 第32-37页 |
·PZT 浆料配制 | 第32页 |
·弹性基片的制备 | 第32-33页 |
·下电极材料选取与制备 | 第33-34页 |
·印刷PZT | 第34-35页 |
·烧结 | 第35页 |
·被上电极 | 第35-36页 |
·极化 | 第36-37页 |
·PZT 厚膜的低温烧结 | 第37-44页 |
·低温烧结方案分析 | 第37-38页 |
·烧结结果和分析 | 第38-41页 |
·PZT 厚膜烧结对成分的影响 | 第41-44页 |
·MEMS 兼容性研究 | 第44-51页 |
·互扩散现象 | 第44-49页 |
·双杯硅基PZT 厚膜驱动结构的兼容工艺 | 第49-50页 |
·分布式PZT 厚膜驱动结构 | 第50-51页 |
·本章小结 | 第51-52页 |
第3章 PZT 压电厚膜性能测试方法研究 | 第52-62页 |
·压电性能的测试 | 第52-60页 |
·压电常数d31 测试技术现状 | 第52-56页 |
·硅基PZT 厚膜压电驱动特性的测试 | 第56-60页 |
·PZT 厚膜体积密度测量 | 第60-61页 |
·测量原理 | 第60页 |
·测量及结果分析 | 第60-61页 |
·本章小结 | 第61-62页 |
第4章 厚膜压电元件结构优化设计 | 第62-80页 |
·厚膜压电元件优化设计方法研究 | 第62-67页 |
·压电陶瓷片驱动结构的模拟分析现状 | 第62-64页 |
·压电薄膜驱动结构的模拟分析现状 | 第64-66页 |
·压电厚膜驱动结构及模拟方法的确定 | 第66-67页 |
·压电厚膜驱动膜片分析 | 第67-73页 |
·压电方程和材料参数 | 第67-69页 |
·压电膜片静态分析 | 第69-71页 |
·压电膜片模态分析 | 第71-72页 |
·膜片形状对驱动作用的影响 | 第72-73页 |
·分布式硅基压电厚膜的分析 | 第73-75页 |
·双杯硅基压电厚膜的分析 | 第75-79页 |
·静态分析 | 第75-77页 |
·模态分析 | 第77-79页 |
·本章小结 | 第79-80页 |
第5章 PZT 压电厚膜驱动无阀微泵 | 第80-104页 |
·微泵的MEMS 兼容性分析 | 第80-83页 |
·微泵研究现状 | 第80-81页 |
·微泵结构及工艺分析 | 第81-83页 |
·微泵设计 | 第83-89页 |
·流体力学基础 | 第83-85页 |
·微泵设计 | 第85-87页 |
·工作机理 | 第87-89页 |
·制作工艺 | 第89-95页 |
·泵体芯片工艺 | 第89-91页 |
·PZT 压电厚膜印制 | 第91-92页 |
·微泵的装配工艺 | 第92-95页 |
·测试及结果讨论 | 第95-103页 |
·电压源准备 | 第95-97页 |
·测试方法 | 第97-98页 |
·测试结果讨论 | 第98-103页 |
·本章小结 | 第103-104页 |
结论 | 第104-106页 |
参考文献 | 第106-117页 |
攻读博士学位期间所发表的学术论文 | 第117-118页 |
攻读博士学位期间申请专利 | 第118-120页 |
致谢 | 第120-121页 |
个人简历 | 第121页 |