| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-11页 |
| 1 绪论 | 第11-23页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·有机场效应晶体管的研究进展 | 第11-13页 |
| ·有机场效应晶体管的结构和材料 | 第13-17页 |
| ·有机场效应晶体管的结构 | 第13-15页 |
| ·有机场效应晶体管的材料 | 第15-17页 |
| ·有机场效应晶体管的相关原理 | 第17-21页 |
| ·有机半导体材料的载流子注入理论 | 第17-19页 |
| ·有机薄膜晶体管的工作机理 | 第19-21页 |
| ·有机场效应晶体管的研究中存在的问题 | 第21-22页 |
| ·本论文的主要工作 | 第22-23页 |
| 2 垂直构型有机薄膜场效应晶体管的制备及性能测试 | 第23-27页 |
| ·器件的制备 | 第23-25页 |
| ·ITO玻璃的清洗和表面处理 | 第23页 |
| ·有机薄膜的制备 | 第23-24页 |
| ·无机薄膜的制备 | 第24页 |
| ·金属电极的制备 | 第24-25页 |
| ·器件性能的测试 | 第25-27页 |
| ·器件输出特性和转移特性的测量 | 第25页 |
| ·单层器件电流-电压特性的测量 | 第25-26页 |
| ·器件中各层薄膜厚度的测量 | 第26页 |
| ·器件交流阻抗谱的测量 | 第26-27页 |
| 3 不同绝缘材料电学特性的研究 | 第27-36页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·器件的制备 | 第27-29页 |
| ·LiF薄膜的静态和动态特性 | 第29-33页 |
| ·器件性能的测量 | 第29-30页 |
| ·实验结果与讨论 | 第30-33页 |
| ·PMMA薄膜电容特性的研究 | 第33页 |
| ·SiO_2、SiN_x和TiO_x薄膜电容特性的研究 | 第33-36页 |
| 4 垂直构型有机场效应晶体管性能的研究 | 第36-54页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·垂直构型有机-无机复合薄膜场效应晶体管的基本理论 | 第36-39页 |
| ·器件的制备和测量 | 第39-40页 |
| ·基于并五苯的垂直构型有机薄膜场效应晶体管 | 第40-50页 |
| ·并五苯薄膜的制备与表征 | 第40-42页 |
| ·LiF为栅绝缘层的器件性能的研究 | 第42-45页 |
| ·PMMA为栅绝缘层的器件性能的研究 | 第45-46页 |
| ·SiO_2为栅绝缘层的器件性能的研究 | 第46-47页 |
| ·SiN_x为栅绝缘层的器件性能的研究 | 第47-49页 |
| ·TiO_x为栅绝缘层的器件性能的研究 | 第49-50页 |
| ·基于CuPc的垂直构型有机薄膜场效应晶体管的研究 | 第50-54页 |
| 5 结论 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 作者简历 | 第59-61页 |
| 学位论文数据集 | 第61页 |
