| 中文摘要 | 第1-3页 |
| Abstract | 第3-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-17页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·半导体压阻效应的研究进展 | 第9页 |
| ·压阻式压力传感器的优越性 | 第9-10页 |
| ·压力传感器的发展趋势和发展动向 | 第10-13页 |
| ·压力传感器的最新成果 | 第13-16页 |
| ·本章小结 | 第16-17页 |
| 第2章 MOSFETs压力传感器的工作原理 | 第17-29页 |
| ·应力和应变 | 第17页 |
| ·压阻效应和压阻系数 | 第17-19页 |
| ·灵敏系数分析 | 第19-20页 |
| ·P-MOSFET工作原理 | 第20-22页 |
| ·MOSFETs压力传感器的调零问题 | 第22-23页 |
| ·MOSFETs压力传感器的灵敏度温度补偿 | 第23-26页 |
| ·MOSFETs压力传感器的输出 | 第26-28页 |
| ·恒压源供电 | 第27页 |
| ·恒流源供电 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第3章 MOSFETs压力传感器的结构设计与分析 | 第29-37页 |
| ·敏感膜厚度 | 第29页 |
| ·MOSFETs沟道P~-掺杂区的设计 | 第29-30页 |
| ·P-MOSFETs沟道位置的确定 | 第30-32页 |
| ·应力计算 | 第32-35页 |
| ·满量程输出的理论计算 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 MOSFETs压力传感器的版图设计与制作工艺 | 第37-49页 |
| ·MOSFETs压力传感器版图设计 | 第37-38页 |
| ·MOSFETs压力传感器的制作工艺 | 第38-48页 |
| ·氧化工艺原理 | 第39-40页 |
| ·光刻工艺原理 | 第40-42页 |
| ·LPCVD | 第42-43页 |
| ·离子注入 | 第43-45页 |
| ·蒸铝工艺 | 第45-46页 |
| ·ICP刻蚀 | 第46-48页 |
| ·MOSFET压力传感器的管芯照片和封装照片 | 第48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 MOSFETs压力传感器的仿真结果 | 第49-52页 |
| ·Tanner软件简介 | 第49页 |
| ·MOSFETs压力传感器的直流分析 | 第49-50页 |
| ·MOSFETs压力传感器的交流分析 | 第50-51页 |
| ·MOSFETs压力传感器的版图设计 | 第51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第6章 MOSFETs压力传感器的实验结果与讨论 | 第52-64页 |
| ·P-MOSFET的实验结果与讨论 | 第52-53页 |
| ·室温下MOSFETs压力传感器的实验结果 | 第53-54页 |
| ·MOSFETs压力传感器的静态特性 | 第54-60页 |
| ·线性度 | 第55-58页 |
| ·迟滞 | 第58页 |
| ·重复性 | 第58-59页 |
| ·灵敏度 | 第59-60页 |
| ·精度 | 第60页 |
| ·MOSFETs压力传感器的温度特性 | 第60-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第73-74页 |