| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-35页 |
| ·紫外APD 概述 | 第14-17页 |
| ·4H-SiC 材料性质 | 第17-25页 |
| ·4H-SiC APD 的研究现状 | 第25-28页 |
| ·4H-SiC p 型欧姆接触的研究现状 | 第28-29页 |
| ·本文的研究目的 | 第29页 |
| ·本文的工作及组织结构 | 第29-31页 |
| 参考文献 | 第31-35页 |
| 第二章 4H-SiC APD 的工作原理及结构设计 | 第35-68页 |
| ·APD 的工作原理 | 第35-37页 |
| ·PN 结的电击穿 | 第35-36页 |
| ·雪崩光电探测器的工作原理 | 第36-37页 |
| ·APD 的性能参数 | 第37-46页 |
| ·APD 的结构及材料设计 | 第46-65页 |
| ·器件结构设计 | 第46-48页 |
| ·材料结构设计 | 第48-52页 |
| ·光谱响应的理论分析 | 第52-60页 |
| ·时间响应的理论分析 | 第60-63页 |
| ·小电压下4H-SiC APD 的光谱响应分析 | 第63-65页 |
| ·本章结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 第三章 低击穿电压的 SAM 结构4H-SiC APD | 第68-95页 |
| ·材料结构参数 | 第68-69页 |
| ·工艺流程及版图设计 | 第69-71页 |
| ·器件工艺流程 | 第69页 |
| ·版图设计 | 第69-71页 |
| ·器件制备工艺 | 第71-79页 |
| ·外延片的标准清洗 | 第71-72页 |
| ·台面制备 | 第72-74页 |
| ·钝化层和减反射膜的制备 | 第74-77页 |
| ·电极及焊盘的制备 | 第77-79页 |
| ·测试系统简介 | 第79-83页 |
| ·测试仪器 | 第80-81页 |
| ·测量方法 | 第81-82页 |
| ·光源校准及绝对光谱响应的测量 | 第82-83页 |
| ·测试结果与讨论 | 第83-91页 |
| ·反向I-V 特性及倍增因子 | 第83-85页 |
| ·线性特性 | 第85-86页 |
| ·正向I-V 特性及理想因子 | 第86-87页 |
| ·光谱响应特性和量子效率 | 第87-89页 |
| ·探测率与噪声等效功率 | 第89-91页 |
| ·本章结论 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-95页 |
| 第四章 4H-SiC p 型欧姆接触的研究 | 第95-126页 |
| ·4H-SiC 欧姆接触概述 | 第95-98页 |
| ·欧姆接触的形成机理 | 第98-101页 |
| ·金属-半导体接触 | 第98-99页 |
| ·欧姆接触形成机理 | 第99-101页 |
| ·比接触电阻ρ及其测量 | 第101-104页 |
| ·比接触电阻ρC的定义 | 第101-102页 |
| ·比接触电阻ρ的测量 | 第102-104页 |
| ·p 型欧姆接触的制备 | 第104-107页 |
| ·外延片的选择 | 第104页 |
| ·金属的选择 | 第104-105页 |
| ·版图设计 | 第105-106页 |
| ·工艺流程 | 第106-107页 |
| ·测试结果与分析 | 第107-121页 |
| ·四种欧姆接触的性能比较 | 第107-112页 |
| ·Ti(1200(?))/Al(600 (?))/Au(850(?)) 4H-SiC p 型欧姆接触的研究 | 第112-121页 |
| ·本章结论 | 第121-122页 |
| 参考文献 | 第122-126页 |
| 第五章 工作总结与展望 | 第126-130页 |
| ·工作总结 | 第126-128页 |
| ·今后的工作计划 | 第128-130页 |
| 附录:博士期间发表论文及申请专利 | 第130-131页 |
| 致谢 | 第131页 |
