| 中文摘要 | 第1-12页 |
| 英文摘要 | 第12-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-70页 |
| §1.1 从微电子学到分子电子学 | 第14-20页 |
| §1.1.1 微电子器件发展极限 | 第14-18页 |
| §1.1.2 分子电子学与纳电子学 | 第18-20页 |
| §1.2 分子电子学研究进展 | 第20-55页 |
| §1.2.1 分子电子元器件 | 第20-32页 |
| §1.2.2 金属/分子/金属结的构筑方法 | 第32-46页 |
| §1.2.3 金属/分子/金属结的表征方法 | 第46-55页 |
| §1.3 本论文的研究目的及主要内容 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-70页 |
| 第二章 实验 | 第70-77页 |
| §2.1 主要试剂和实验仪器 | 第70-74页 |
| §2.1.1 主要试剂 | 第70-71页 |
| §2.1.2 常用实验仪器 | 第71-74页 |
| §2.2 NEMS微加工试剂于仪器 | 第74-77页 |
| §2.2.1 MEMS微加工主要试剂 | 第74-75页 |
| §2.2.2 MEMS微加工主要仪器 | 第75-77页 |
| 第三章 金属/分子/金属嵌段纳米线的制备与表征 | 第77-102页 |
| §3.1 制备金属/分子/金属嵌段纳米线 | 第77-86页 |
| §3.1.1 利用氧化铝模板制备金属纳米线 | 第77-82页 |
| §3.1.2 分子嵌段纳米线的制备 | 第82-86页 |
| §3.2 金属/分子/金属嵌段纳米线的电学性质测量 | 第86-98页 |
| §3.2.1 MEMS微加工简介 | 第88-90页 |
| §3.2.2 MEMS微加工制备介电泳芯片 | 第90-95页 |
| §3.2.3 介电泳法组装分子嵌段纳米线及其电学性质测量 | 第95-98页 |
| 本章小结 | 第98页 |
| 参考文献 | 第98-102页 |
| 第四章 基于微电极芯片制备金属电极纳米间隔 | 第102-127页 |
| §4.1 电化学方法制备金属电极对纳米间隔 | 第102-117页 |
| §4.1.1 微加工制作微米尺寸电极对芯片 | 第105-107页 |
| §4.1.2 三电极恒电流法制备金属电极纳米间隔 | 第107-117页 |
| §4.2 电迁移方法制备金属电极对纳米间隔 | 第117-123页 |
| §4.2.1 电迁移基本原理 | 第118-120页 |
| §4.2.2 电迁移法制备纳米间隔金属电极对 | 第120-123页 |
| 本章小结 | 第123页 |
| 参考文献 | 第123-127页 |
| 第五章 MCBJ方法构筑金属/分子/金属结 | 第127-149页 |
| §5.1 搭建MCBJ装置 | 第127-135页 |
| §5.1.1 MCBJ技术的发展 | 第128-131页 |
| §5.1.2 MCBJ装置的搭建与校准 | 第131-135页 |
| §5.2 MCBJ构筑金属/分子/金属结 | 第135-145页 |
| §5.2.1 MCBJ构筑分子结研究进展 | 第135-139页 |
| §5.2.2 MCBJ构筑分子结及分子结电学测量 | 第139-145页 |
| 本章小结 | 第145页 |
| 参考文献 | 第145-149页 |
| 第六章 MCBJ与SERS联用检测金属/分子/金属结 | 第149-168页 |
| §6.1 SERS与电磁场增强机理 | 第149-152页 |
| §6.1.1 SERS简介 | 第149-150页 |
| §6.1.2 SERS增强机理 | 第150-152页 |
| §6.2 MCBJ与SERS联用检测金属间隔中的分子 | 第152-164页 |
| §6.2.1 BDT等小分子在间隔中的SERS检测 | 第154-159页 |
| §6.2.2 分子结在不同偏压下的SERS检测 | 第159-161页 |
| §6.2.3 间隔中分子结SERS检测的问题分析 | 第161-164页 |
| 本章小结 | 第164-165页 |
| 参考文献 | 第165-168页 |
| 总结与展望 | 第168-170页 |
| 在学期间发表论文 | 第170-172页 |
| 致谢 | 第172-173页 |
