| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| §1-1 GaN HEMT 器件国内外研究概况 | 第8-11页 |
| §1-2 本论文的主要研究意义 | 第11-12页 |
| §1-3 本论文的主要研究内容 | 第12-13页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT 器件概述和微波功率特性 | 第13-26页 |
| §2-1 AlGaN/GaN HEMT 器件概述 | 第13-20页 |
| 2-1-1 AlGaN/GaN HEMT 器件结构 | 第13-14页 |
| 2-1-2 AlGaN/GaN 异质结极化效应 | 第14-15页 |
| 2-1-3 AlGaN/GaN HEMT 直流特性分析 | 第15-16页 |
| 2-1-4 AlGaN/GaN HEMT 微波频率特性分析 | 第16-18页 |
| 2-1-5 负载线功率分析 | 第18-19页 |
| 2-1-6 GaN HEMT 功率密度、输出功率及微波特性的影响因素 | 第19-20页 |
| §2-2 GaN HEMT 直流和微波特性测量与分析 | 第20-26页 |
| 2-2-1 直流和小信号特性 | 第20-23页 |
| 2-2-2 大信号特性 | 第23-26页 |
| 第三章 GaN HEMT 等效电路模型理论 | 第26-34页 |
| §3-1 小信号等效电路模型和参数提取技术 | 第26-30页 |
| 3-1-1 FET 器件小信号等效电路模型 | 第26-27页 |
| 3-1-2 PAD 电容的提取 | 第27-28页 |
| 3-1-3 寄生电感的提取 | 第28-29页 |
| 3-1-4 本征元件提取 | 第29-30页 |
| §3-2 大信号等效电路模型理论 | 第30-34页 |
| 3-2-1 大信号等效电路模型基础 | 第30-32页 |
| 3-2-2 C_FET3 模型 | 第32页 |
| 3-2-3 C_FET3 的I-V 模型 | 第32-33页 |
| 3-2-4 C_FET3 的Cgs 和Cgd 模型 | 第33-34页 |
| 第四章 微波电路阻抗匹配理论 | 第34-43页 |
| §4-1 阻抗匹配理论 | 第34-42页 |
| 4-1-1 微波传输特性 | 第34-35页 |
| 4-1-2 集总元件匹配网络 | 第35-36页 |
| 4-1-3 单短截线匹配 | 第36-37页 |
| 4-1-4 并联短截线 | 第37-38页 |
| 4-1-5 串联短截线 | 第38页 |
| 4-1-6 四分之一波长变换线 | 第38-41页 |
| 4-1-7 Wilkinson 功率分配器 | 第41-42页 |
| §4-2 器件内匹配技术简述 | 第42-43页 |
| 第五章 GaN HEMT 大信号建模和内匹配电路设计 | 第43-55页 |
| §5-1 GaN HEMT 大信号等效电路模型建立 | 第43-48页 |
| 5-1-1 寄生参数的提取 | 第43-44页 |
| 5-1-2 I-V 特性拟合 | 第44页 |
| 5-1-3 Cgs 和Cgd 拟合 | 第44-45页 |
| 5-1-4 Cds 和Gds 拟合 | 第45-46页 |
| 5-1-5 最终模型 | 第46页 |
| 5-1-6 模型验证 | 第46-48页 |
| §5-2 GaN HEMT 器件内匹配电路设计 | 第48-55页 |
| 5-2-1 GaN HEMT 器件输入输出阻抗的测量 | 第48-50页 |
| 5-2-2 30W 器件内匹配电路总体设计 | 第50页 |
| 5-2-3 器件输入端阻抗匹配电路设计 | 第50-51页 |
| 5-2-4 一分四功分器设计 | 第51-52页 |
| 5-2-5 电路仿真和优化 | 第52-53页 |
| 5-2-6 匹配电路元件制作 | 第53页 |
| 5-2-7 内匹配器件功率测试 | 第53-55页 |
| 第六章 结论 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成 | 第59页 |
