| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 GaN基半导体材料性质及其器件的研究进展 | 第11-39页 |
| ·引言 | 第11-13页 |
| ·GaN材料及器件的发展概况 | 第13-15页 |
| ·GaN结构及性质 | 第15-20页 |
| ·GaN的结构特性 | 第15-17页 |
| ·GaN的电学特性 | 第17-18页 |
| ·GaN的能带结构和光学特性 | 第18-20页 |
| ·GaNLED器件及其应用 | 第20-23页 |
| ·GaN生长衬底的选择 | 第23-27页 |
| ·Si衬底性质及Si(111)衬底GaN生长 | 第27-31页 |
| ·Si衬底结构和性能 | 第27-28页 |
| ·Si(111)衬底上生长GaN | 第28-30页 |
| ·Si(111)衬底GaN基LED | 第30-31页 |
| ·本论文研究内容和行文安排 | 第31页 |
| 参考文献 | 第31-39页 |
| 第二章 GaN薄膜的MOCVD生长与性能分析 | 第39-56页 |
| ·MOCVD技术简介 | 第39-40页 |
| ·用于GaN生长的Thomas Swan MOCVD系统 | 第40-41页 |
| ·硅衬底GaN外延生长工艺 | 第41-42页 |
| ·δ掺杂对硅衬底GaN蓝光LED外延膜性能的影响研究 | 第42-54页 |
| ·硅衬底GaN蓝光LED外延膜的δ掺杂处理 | 第42-43页 |
| ·X射线双晶衍射技术 | 第43-45页 |
| ·用X射线双晶衍射技术对所生长的样品进行分析研究 | 第45-52页 |
| ·两样品制成的LED光电性能测试分析研究 | 第52-54页 |
| ·结论 | 第54页 |
| ·小结 | 第54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 第三章 硅衬底GaN基LED器件老化特性研究 | 第56-73页 |
| ·引言 | 第56-57页 |
| ·GaN基LED的相关知识 | 第57-62页 |
| ·与LED效率相关的几个概念 | 第57-58页 |
| ·LED的光学特性常识 | 第58-59页 |
| ·计算LED寿命的方法 | 第59-62页 |
| ·硅基GaN蓝光LED的老化寿命分析 | 第62-67页 |
| ·硅基GaN绿光LED的老化寿命分析 | 第67-70页 |
| ·小结 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 第四章 常压MOCVD法在Cu／Si(111)基板上生长Zno薄膜的研究 | 第73-98页 |
| ·引言 | 第73-74页 |
| ·ZnO结构及其性质 | 第74-81页 |
| ·ZnO材料的基本特性 | 第74-75页 |
| ·ZnO的结构特性 | 第75-77页 |
| ·ZnO的能带结构和光学性质 | 第77-80页 |
| ·ZnO的电学特件 | 第80-81页 |
| ·MOCVD方法Cu／Si(111)基板上ZnO薄膜的生长 | 第81-93页 |
| ·ZnO薄膜生长衬底材料的选择 | 第81-82页 |
| ·Si衬底ZnO薄膜的研究进展 | 第82-84页 |
| ·生长ZnO薄膜的常压MOCVD系统 | 第84-86页 |
| ·Cu／Si(111)基板上ZnO薄膜的生长工艺 | 第86-88页 |
| ·ZnO／Cu／Si(111)薄膜性能分析 | 第88-93页 |
| ·结论 | 第93页 |
| ·小结 | 第93-94页 |
| 参考文献 | 第94-98页 |
| 第五章 结论 | 第98-100页 |
| 附录 | 第100-101页 |
| 致谢 | 第101页 |
