薄膜全耗尽SOI CMOS电路高温特性模拟和结构优化
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-13页 |
| ·SOI 简介 | 第9页 |
| ·SOI 的分类及其特点 | 第9-10页 |
| ·SOI 的应用现状及前景 | 第10-12页 |
| ·本文的研究意义及主要内容 | 第12-13页 |
| 2 结构建立与物理模型选取 | 第13-26页 |
| ·结构模型的建立 | 第13-15页 |
| ·结构模型考虑 | 第13-14页 |
| ·结构参数的选取 | 第14-15页 |
| a. 亚阈值特性考虑 | 第14页 |
| b. 阈值电压考虑 | 第14页 |
| c. CMOS 倒相器最佳化设计考虑 | 第14-15页 |
| ·模拟方法 | 第15-16页 |
| ·模拟软件简介 | 第15-16页 |
| ·模拟方法 | 第16页 |
| ·物理模型的选取 | 第16-25页 |
| ·流体力学能量输运模型 | 第17-18页 |
| ·量子学模型 | 第18-19页 |
| ·迁移率模型 | 第19-22页 |
| a.表面迁移率 | 第20页 |
| b. 体迁移率 | 第20-22页 |
| ·载流子复合模型 | 第22-24页 |
| ·载流子产生模型 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-26页 |
| 3 SOI CMOS 倒相器高温特性研究 | 第26-38页 |
| ·单管的高温特性分析 | 第26-35页 |
| ·温度对漏源输出特性的影响 | 第26-33页 |
| a 浮体效应 | 第26-29页 |
| b 自加热效应 | 第29-33页 |
| ·温度对泄漏电流的影响 | 第33-35页 |
| ·SOI CMOS 倒相器的高温特性分析 | 第35-37页 |
| ·温度对电压传输特性的影响 | 第35-36页 |
| ·温度对瞬态特性的影响 | 第36-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 4 SOI CMOS 倒相器的优化设计 | 第38-51页 |
| ·参数优化 | 第38-41页 |
| ·隐埋氧化层厚度 | 第38-39页 |
| ·顶层硅膜厚度 | 第39-40页 |
| ·源漏区掺杂浓度 | 第40-41页 |
| ·DSOI 结构 | 第41-50页 |
| ·开口对器件性能的影响 | 第42-46页 |
| a 开口位置的影响 | 第42-45页 |
| b 开口大小的影响 | 第45-46页 |
| ·优化结果 | 第46-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 5 AlN-DSOI 新结构的提出 | 第51-56页 |
| ·改进的AlN-DSOI 结构 | 第51-52页 |
| ·AlN-DSOI 结构的实现工艺探索 | 第52-53页 |
| ·AlN 薄膜窗口制备 | 第52页 |
| ·形成AlN-DSOI 结构 | 第52-53页 |
| ·三种SOI 结构的特性比较 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 6 结论 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 附录 | 第62页 |
