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数字集成电路失效分析方法与技术的研究

中文摘要第1-4页
 ABSTRACT第4-8页
第一章 绪论第8-10页
   ·引言第8页
   ·电子元件的可靠性第8页
   ·失效分析概述第8-9页
   ·课题背景、内容与意义第9-10页
第二章 集成电路的失效机理第10-19页
   ·失效的分类第10页
   ·EOS与ESD第10-13页
   ·金属的电迁移第13-14页
   ·栅氧化层击穿第14页
   ·离子粘污第14-15页
   ·封装失效第15-18页
     ·芯片划痕或刮伤第16页
     ·芯片崩裂第16页
     ·贴片失效第16-17页
     ·金线键合失效第17页
     ·塑封破裂、分层和空洞第17页
     ·芯片断裂第17-18页
   ·本章小结第18-19页
第三章 集成电路失效分析的方法与技术第19-23页
   ·引言第19页
   ·光学显微分析第19页
   ·红外显微分析第19页
   ·声学显微分析第19-20页
   ·液晶热点检测技术第20页
   ·光辐射显微分析技术第20页
   ·微分析技术第20页
   ·电性测量第20-21页
   ·功能检测第21页
   ·微探针第21页
   ·化学刻蚀第21页
   ·离子刻蚀第21-22页
   ·本章小结第22-23页
第四章 SAM的原理和使用第23-29页
   ·前言第23页
   ·扫描超声显微镜的结构、工作方式第23-28页
     ·扫描超声显微镜的结构第23-24页
     ·扫描超声显微镜工作方式第24页
     ·集成电路封装的超声检测第24-28页
   ·合理的测试顺序第28页
   ·超声扫描结果的验证第28页
   ·本章小结第28-29页
第五章 失效分析中的化学方法第29-35页
   ·引言第29页
   ·封装的去除第29-30页
   ·去除PASSIVATION(钝化层)第30页
   ·芯片的剥层第30-34页
   ·本章小结第34-35页
第六章 失效分析的流程第35-37页
第七章单片机的模块功能及失效分析第37-73页
   ·08 单片机简介第37页
   ·08 单片机测试模式第37-40页
     ·外围测试模式(PTM)第38-39页
     ·CPU测试模式(CTM)第39-40页
     ·MONITOR 模式第40页
   ·管脚的OPEN、SHORT和LEAKAGE第40-43页
   ·CPU的失效分析第43-48页
     ·简介第43-44页
     ·CPU的操作流程表第44-47页
     ·CPU失效测试与分析第47页
     ·失效分析实例第47-48页
   ·ROM的失效分析第48-53页
     ·ROM存储的原理第48-49页
     ·ROM的常见失效第49-50页
     ·ROM失效分析的测试第50-51页
     ·ROM失效分析方法第51页
     ·失效分析实例第51-53页
   ·RAM的失效分析第53-58页
     ·RAM简介第53-55页
     ·RAM的常见失效第55-56页
     ·测试程序第56页
     ·失效分析第56-57页
     ·典型失效举例第57-58页
   ·EPROM、EEPROM和FLASH失效分析第58-62页
     ·简介第58-59页
     ·原理概述第59-61页
     ·测试与失效分析第61-62页
     ·失效分析实例第62页
   ·TIMER失效第62-63页
   ·IDD 失效第63-66页
     ·IDD简介第63-65页
     ·SIDD失效的分析第65-66页
     ·SIDD失效分析实例第66页
   ·ADC的失效分析第66-72页
     ·ADC简介第67-69页
     ·失效分析判断第69页
     ·失效检测的步骤第69-70页
     ·失效分析步骤第70页
     ·失效分析实例第70-72页
   ·本章小结第72-73页
第八章 结论与意义第73-74页
参考文献第74-77页
攻读硕士学位期间发表和完成的论文第77-78页
致谢第78页

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