基于可制造性设计的物理设计规则的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| ·集成电路的发展历史 | 第8-9页 |
| ·集成电路设计技术的发展 | 第9-11页 |
| ·集成电路的制造工艺 | 第11页 |
| ·纳米级集成电路的可制造性问题 | 第11-13页 |
| ·目前世界上的相关研究状况 | 第13-14页 |
| ·本文完成的主要工作 | 第14-16页 |
| 第二章 集成电路的设计制造流程 | 第16-32页 |
| ·集成电路设计过程简介 | 第16-21页 |
| ·集成电路逻辑设计 | 第17-18页 |
| ·集成电路物理设计 | 第18-21页 |
| ·光刻成像 | 第21-24页 |
| ·分辨率增强技术 | 第24-31页 |
| ·光学邻近校正 | 第26-27页 |
| ·移相掩模 | 第27-28页 |
| ·离轴照明 | 第28-30页 |
| ·次分辨率辅助图形 | 第30-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 第三章 可制造性设计 | 第32-47页 |
| ·成品率误差 | 第32-36页 |
| ·随机性误差 | 第33-34页 |
| ·系统性误差 | 第34-36页 |
| ·参数误差 | 第36页 |
| ·与物理设计规则相关的可制造性问题 | 第36-45页 |
| ·45°拐角线条结构 | 第37-38页 |
| ·L型拐角 | 第38-40页 |
| ·多晶硅线端与有源区的距离 | 第40-41页 |
| ·平行多晶硅栅间距 | 第41-42页 |
| ·End-line结构 | 第42-43页 |
| ·互连线通孔 | 第43-45页 |
| ·小结 | 第45-47页 |
| 第四章 基于DFM的物理设计规则研究 | 第47-64页 |
| ·实验流程 | 第47-49页 |
| ·设计规则的选取 | 第49-50页 |
| ·测试电路 | 第50-53页 |
| ·c6288 | 第50-51页 |
| ·c5315 | 第51-52页 |
| ·c7552 | 第52-53页 |
| ·光学模型 | 第53-54页 |
| ·光学邻近校正脚本 | 第54-56页 |
| ·可制造性评定标准 | 第56-57页 |
| ·实验结果 | 第57-63页 |
| ·平行多晶硅栅间距(pps) | 第58-59页 |
| ·L形多晶硅栅与有源区的距离(pds) | 第59-60页 |
| ·多晶硅栅的线端长度(pel) | 第60-62页 |
| ·End-line结构的图形间距(els) | 第62-63页 |
| ·小结 | 第63-64页 |
| 第五章 总结与展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
