| 目录 | 第1-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-13页 |
| 1．1 课题的提出 | 第10-11页 |
| 1．2 课题研究的主要内容及关键技术 | 第11-13页 |
| 第二章 集成电路虚拟制造技术 | 第13-22页 |
| 2．1 集成电路工艺级仿真 | 第13-14页 |
| 2．2 半导体器件物理特性模拟 | 第14-16页 |
| 2．3 集成电路虚拟制造技术 | 第16-22页 |
| 2．3．1 虚拟 IC芯片加工系统 Taurus WorkBench | 第16-17页 |
| 2．3．2 Taurus WorkBench的系统组成 | 第17-18页 |
| 2．3．3 Taurus WorkBench的运行机制 | 第18页 |
| 2．3．4 Taurus WorkBench的优化机制 | 第18-22页 |
| 第三章 MOS器件的小尺寸效应 | 第22-33页 |
| 3．1 影响阈值电压的小尺寸效应 | 第22-29页 |
| 3．1．1 长宽沟、衬底均匀掺杂 MOS器件的阈值电压模型 | 第22-23页 |
| 3．1．2 长宽沟、衬底非均匀掺杂 MOS器件的阈值电压模型 | 第23-25页 |
| 3．1．3 短沟效应 | 第25-28页 |
| 3．1．4 窄沟效应 | 第28页 |
| 3．1．5 小尺寸效应 | 第28-29页 |
| 3．2 穿通效应 | 第29-30页 |
| 3．3 热载流子效应 | 第30-33页 |
| 第四章 亚微米 MOS器件结构及工艺参数对器件特性的影响 | 第33-62页 |
| 4．1 亚微米 MOS器件的工艺与结构特点 | 第33-38页 |
| 4．1．1 器件隔离 | 第33-34页 |
| 4．1．2 源漏工程 | 第34-36页 |
| 4．1．3 沟道掺杂工程 | 第36-37页 |
| 4．1．4 栅工程 | 第37-38页 |
| 4．2 阈值电压的影响因素分析 | 第38-45页 |
| 4．2．1 衬底掺杂浓度对阈值电压的影响 | 第39-40页 |
| 4．2．2 衬底偏压对阈值电压的影响 | 第40页 |
| 4．2．3 沟道注入对阈值电压的影响 | 第40-41页 |
| 4．2．4 阈值电压的优化设计 | 第41-45页 |
| 4．3 穿通效应的影响因素分析 | 第45-53页 |
| 4．3．1 提高源漏穿通电压的工艺方案研究 | 第45-47页 |
| 4．3．2 抑穿通注入的实验分析 | 第47-53页 |
| 4．4 LDD结构对器件特性的影响 | 第53-62页 |
| 4．4．1 n~-区掺杂浓度对器件特性的影响 | 第53-57页 |
| 4．4．2 n~-区注入深度对器件特性的影响 | 第57-62页 |
| 第五章 亚微米 NMOS器件的设计与优化 | 第62-71页 |
| 5．1 设计综述 | 第62-63页 |
| 5．2 控制因素和响应的选择 | 第63-64页 |
| 5．3 实验设计与运行 | 第64-65页 |
| 5．4 响应表面建模 | 第65-66页 |
| 5．5 关键特性参数优化 | 第66-67页 |
| 5．6 可制造性设计 | 第67-71页 |
| 第六章 结束语 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 攻读硕士研究生期间所发表的学术论文 | 第77-78页 |
| 缩略词 | 第78-80页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第80页 |
