| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·研究背景 | 第9-10页 |
| ·SiGe HBT 在微波领域的应用和发展 | 第10-11页 |
| ·本课题研究的主要内容及意义 | 第11-12页 |
| ·本章小结 | 第12-14页 |
| 第二章 微波功率 SiGe HBT | 第14-25页 |
| ·微波功率晶体管的性能参数 | 第14-18页 |
| ·功率参数 | 第14-16页 |
| ·频率参数 | 第16-17页 |
| ·非线性参数 | 第17-18页 |
| ·微波功率 SiGe HBT 的特性 | 第18-24页 |
| ·直流特性 | 第19-21页 |
| ·高频特性 | 第21-22页 |
| ·基区宽度调变效应 | 第22-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 微波功率 SiGe HBT 的非线性分析 | 第25-33页 |
| ·SiGe HBT 的主要非线性因素 | 第25-30页 |
| ·非线性跨导gm | 第25-26页 |
| ·非线性结电容CBC | 第26-27页 |
| ·非线性过渡电容Cdiff | 第27页 |
| ·非线性基区电阻RB | 第27-29页 |
| ·基区扩展效应对线性度的影响 | 第29-30页 |
| ·用 Volterra 级数分析器件的非线性 | 第30-32页 |
| ·Volterra 级数 | 第30页 |
| ·Volterra 级数在器件模型中的应用 | 第30-32页 |
| ·SiGe HBT 的非线性相消 | 第32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 微波功率 SiGE HBT 的器件结构与仿真模型 | 第33-45页 |
| ·一般微波功率 SiGe HBT 的制造工艺介绍 | 第33-35页 |
| ·SiGe HBT 应力层的制造 | 第33页 |
| ·SiGe HBT 的制造结构 | 第33-35页 |
| ·仿真的器件结构的确定 | 第35-40页 |
| ·衬底参数的设计 | 第35页 |
| ·集电区参数的设计 | 第35-37页 |
| ·基区参数的设计 | 第37-38页 |
| ·间隔层参数的设计 | 第38页 |
| ·发射区参数的设计 | 第38-39页 |
| ·发射区帽参数的设计 | 第39页 |
| ·仿真器件的结构 | 第39-40页 |
| ·仿真原理、模型以及方法 | 第40-44页 |
| ·仿真原理和模型 | 第40-43页 |
| ·仿真方法 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 微波功率 SiGe HBT 线性度特性的仿真研究与结果 | 第45-62页 |
| ·改变发射区参数对器件线性度的影响 | 第45-48页 |
| ·改变基区参数对器件线性度的影响 | 第48-55页 |
| ·根据交流仿真结果提取小信号参数 | 第49-50页 |
| ·通过减小基区宽度来提高器件的线性度 | 第50-52页 |
| ·通过减小基区掺杂浓度来提高器件的线性度 | 第52-55页 |
| ·改变集电区参数对器件线性度的影响 | 第55-59页 |
| ·改变集电区掺杂浓度对器件线性度的影响 | 第55-57页 |
| ·改变集电区宽度对器件线性度的影响 | 第57-59页 |
| ·外基区-集电区电容对器件线性度的影响 | 第59-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 结论 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |