硅微通道列阵电化学微加工技术研究
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-15页 |
| §1．1 硅微通道列阵微加工技术 | 第6-11页 |
| §1．2 硅微通道列阵的应用 | 第11-14页 |
| §1．3 主要研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 硅微通道列阵形成的工艺原理及其相关理论 | 第15-33页 |
| §2．1 概述 | 第15页 |
| §2．2 基体材料的选取原则 | 第15-17页 |
| §2．3 硅基片的热氧化工艺原理 | 第17-20页 |
| §2．4 硅基片的光刻工艺原理 | 第20-22页 |
| §2．5 硅基片的各向异性湿法刻蚀原理 | 第22-25页 |
| §2．6 硅基片的电化学湿刻工艺原理 | 第25-33页 |
| 第三章 硅微通道列阵形成实验过程 | 第33-41页 |
| §3．1 硅微通道列阵形成的工艺流程 | 第33页 |
| §3．2 基体材料的选取及硅基片的前期处理 | 第33-34页 |
| §3．3 硅基片的热氧化 | 第34-35页 |
| §3．4 硅基片的光刻 | 第35-36页 |
| §3．5 诱导坑湿法刻蚀 | 第36-37页 |
| §3．6 硅微通道列阵电化学刻蚀 | 第37-41页 |
| 第四章 分析与讨论 | 第41-52页 |
| §4．1 前烘工艺对显影的影响 | 第41-43页 |
| §4．2 缓冲氢氟酸腐蚀剂BHF对掩膜刻蚀的影响 | 第43-44页 |
| §4．3 掩膜图案与诱导坑晶向之间的关系 | 第44-45页 |
| §4．4 诱导坑形貌及对电化学刻蚀的影响 | 第45-47页 |
| §4．5 表面杂质对电化学刻蚀的影响 | 第47-49页 |
| §4．6 电化学刻蚀工艺问题的分析 | 第49-52页 |
| 第五章 结论 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-55页 |
