纳米结构忆阻器制造技术研究
| 中文摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-28页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·忆阻器的研究进展 | 第10-14页 |
| ·忆阻器结构发展现状 | 第10-12页 |
| ·忆阻器电路发展现状 | 第12-14页 |
| ·铂纳米线制备的国内外进展 | 第14-26页 |
| ·Pt纳米线制备国外研究进展 | 第14-22页 |
| ·Pt纳米线制备国内研究进展 | 第22-26页 |
| ·纳米结构忆阻器制造技术研究目的和意义 | 第26-27页 |
| ·研究目的 | 第26页 |
| ·研究意义 | 第26-27页 |
| ·论文主要研究内容 | 第27页 |
| ·小结 | 第27-28页 |
| 第2章 纳米结构忆阻器理论分析 | 第28-33页 |
| ·纳米结构忆阻器理论模型 | 第28-29页 |
| ·纳米结构忆阻器理论分析 | 第29-32页 |
| ·小结 | 第32-33页 |
| 第3章 三层膜纳米结构忆阻器基本结构及制作工艺 | 第33-37页 |
| ·三层膜纳米结构忆阻器基本结构 | 第33-34页 |
| ·三层膜纳米结构忆阻器制作工艺 | 第34-36页 |
| ·小结 | 第36-37页 |
| 第4章 铂纳米线的制备及表征研究 | 第37-57页 |
| ·一维纳米线的制备 | 第37-46页 |
| ·蒸发相位法 | 第37-39页 |
| ·氧化物辅助生长 | 第39-40页 |
| ·气相-固相生长法 | 第40-41页 |
| ·碳热反应生长法 | 第41页 |
| ·模板法制备纳米线 | 第41-46页 |
| ·利用电化学沉积方法制备Pt纳米线 | 第46-52页 |
| ·AAO模板的选择 | 第46-48页 |
| ·蒸镀铂电极 | 第48-49页 |
| ·制备电化学沉积电极 | 第49-50页 |
| ·电化学沉积Pt纳米线 | 第50-52页 |
| ·铂纳米线SEM表征研究 | 第52-54页 |
| ·铂纳米线TEM表征研究 | 第54-55页 |
| ·铂纳米线XRD研究 | 第55-56页 |
| ·小结 | 第56-57页 |
| 第5章 TiO_2薄膜的制备及表征研究 | 第57-65页 |
| ·TiO_2纳米薄膜制备方法 | 第57-61页 |
| ·溶胶凝胶法 | 第57-58页 |
| ·化学气象沉积 | 第58页 |
| ·电化学方法 | 第58-60页 |
| ·制备TiO_2薄膜的物理方法 | 第60-61页 |
| ·采用磁控溅射方法制备TiO_2薄膜 | 第61-63页 |
| ·TiO_2薄膜的SEM表征分析 | 第62页 |
| ·TiO_2薄膜的能谱分析 | 第62-63页 |
| ·氧空缺及富氧TiO_2薄膜制备机理 | 第63-65页 |
| ·氧空缺TiO_2薄膜制备机理 | 第63页 |
| ·富氧TiO_2薄膜制备机理 | 第63-65页 |
| 第6章 结论 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 | 第74页 |
| 申请发明专利 | 第74-75页 |
