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基于PWM的DC-DC转换器的带隙基准电压源设计

摘要第1-7页
Abstract第7-11页
第一章 绪论第11-17页
   ·研究的应用背景第11-12页
   ·带隙基准源的技术背景第12-14页
   ·带隙基准源的研究现状第14-15页
   ·本论文的主要工作和论文安排第15-17页
第二章 带隙基准的基础理论第17-27页
   ·基准电压源概述第17-20页
     ·基准电压源的拓扑结构第17-18页
     ·基准电压源的历史第18-20页
   ·带隙基准电压源的基本原理第20-23页
   ·几种典型的带隙基准电压源结构第23-27页
     ·Widlar带隙基准第23-24页
     ·使用衬底PNP的CMOS工艺的带隙基准第24-25页
     ·Brokaw结构的带隙基准第25-26页
     ·无电阻带隙基准电路第26-27页
第三章 带隙基准电路总体设计第27-54页
   ·电源管理芯片的简介第27页
   ·设计思路第27-28页
   ·带隙基准电压的主要设计指标第28-29页
   ·带隙基准电压电路的设计第29-49页
     ·启动电路和偏置电路分析第29-30页
     ·核心电路及电源电压抑制比分析第30-38页
     ·温度补偿电路分析第38-46页
     ·过温保护电路分析第46-49页
   ·带隙基准电压源误差分析第49-51页
     ·电流镜失配引进的误差第49-50页
     ·PNP管的β的影响第50-51页
     ·欧姆电阻的影响第51页
   ·电路的关键器件参数选择第51-54页
第四章 仿真验证与容差分析第54-66页
   ·仿真软件介绍及容差分析原理第54-55页
   ·电路仿真结果及容差分析第55-64页
     ·基准的DC特性分析第56-59页
     ·基准的AC特性分析第59-63页
     ·瞬态特性分析第63页
     ·过温保护特性分析第63-64页
   ·与同类电路结构性能比较第64-66页
第五章 不同工艺模型下的分析对比第66-75页
   ·BCD工艺技术第66-67页
   ·BiCMOS工艺技术第67-68页
   ·BiCMOS工艺下的仿真第68-71页
     ·基准的DC特性分析第69-70页
     ·瞬态特性分析第70页
     ·基准的AC特性分析第70-71页
     ·过温保护特性分析第71页
   ·两种工艺模型的分析对比第71-73页
   ·同种工艺下的模型参数优化第73-75页
结论与展望第75-76页
致谢第76-77页
参考文献第77-81页
攻读硕士学位期间发表的论文第81页

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