| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 分子材料和分子电子器件的研究进展 | 第10-35页 |
| ·TTF 衍生物的性能介绍 | 第10-13页 |
| ·导电LB 膜材料的研究现状 | 第13-24页 |
| ·LB 膜的制备 | 第13-16页 |
| ·LB 膜的发展历史 | 第13-14页 |
| ·LB 膜的特点 | 第14页 |
| ·LB 膜材料的基本要求 | 第14页 |
| ·溶剂的选择 | 第14-15页 |
| ·制备LB 膜的装置 | 第15-16页 |
| ·基于TTF 衍生物导电LB 膜材料的研究现状 | 第16-24页 |
| ·基于长链双亲TTF 衍生物导电LB 膜 | 第17-20页 |
| ·基于非长链双亲TTF 衍生物导电LB 膜 | 第20-21页 |
| ·基于非双亲TTF 衍生物导电LB 膜 | 第21-23页 |
| ·基于带有疏水链及偶氮基团TTF 衍生物导电LB 膜 | 第23页 |
| ·基于D-A 型分子导电LB 膜 | 第23-24页 |
| ·基于DMIT 型分子导电LB 膜 | 第24页 |
| ·分子电子器件的研究现状 | 第24-31页 |
| ·分子整流器 | 第25-26页 |
| ·分子导线 | 第26-28页 |
| ·分子开关 | 第28-29页 |
| ·有机场效应晶体管 | 第29-31页 |
| ·第一性原理及材料的计算研究现状 | 第31-33页 |
| ·第一性原理 | 第31-32页 |
| ·材料的计算研究现状 | 第32-33页 |
| ·本论文的选题意义和研究内容 | 第33-35页 |
| 第二章 基于TTF 衍生物导电LB 膜分子材料研究 | 第35-48页 |
| ·TTF 衍生物分子的制备 | 第35-36页 |
| ·基于化合物DAD-TTF 导电LB 膜的制备与性质研究 | 第36-40页 |
| ·结果与讨论 | 第36-39页 |
| ·电化学研究 | 第36-37页 |
| ·单分子面积及膜厚 | 第37页 |
| ·吸收光谱 | 第37-38页 |
| ·X 射线光电子能谱测试 | 第38-39页 |
| ·表面形貌分析 | 第39页 |
| ·导电性质 | 第39页 |
| ·LB 膜制备条件 | 第39-40页 |
| ·LB 膜表面压-面积等温线 | 第39-40页 |
| ·LB 膜的制备设置和处理 | 第40页 |
| ·基片的选择 | 第40页 |
| ·基于化合物BPD-TTF 导电LB 膜的制备与性质研究 | 第40-46页 |
| ·结果与讨论 | 第40-45页 |
| ·电化学研究 | 第40-41页 |
| ·单分子面积及膜厚 | 第41页 |
| ·吸收光谱 | 第41-43页 |
| ·X 射线光电子能谱测试 | 第43-44页 |
| ·表面形貌分析 | 第44-45页 |
| ·导电性质 | 第45页 |
| ·LB 膜制备条件 | 第45-46页 |
| ·LB 膜表面压-面积等温线 | 第45-46页 |
| ·LB 膜的制备设置和处理 | 第46页 |
| ·基片的选择 | 第46页 |
| ·实验部分 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 第三章 基于TTF 衍生物的分子电子器件研究 | 第48-62页 |
| ·D-A 分子的设计 | 第48-50页 |
| ·D-A 分子的制备路线 | 第50-52页 |
| ·结果与讨论 | 第52-60页 |
| ·电化学性质研究 | 第52-54页 |
| ·TGA 和DSC 分析 | 第54-55页 |
| ·紫外可见吸收光谱测试 | 第55-59页 |
| ·电化学氧化 | 第56-57页 |
| ·化学氧化 | 第57-59页 |
| ·荧光性质测试分析 | 第59-60页 |
| ·实验部分 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第四章 基于TTF 衍生物结构和性质的理论研究 | 第62-70页 |
| ·研究方法 | 第62页 |
| ·结果讨论 | 第62-68页 |
| ·几何优化 | 第62-67页 |
| ·键长 | 第64-65页 |
| ·键角 | 第65-67页 |
| ·前线轨道 | 第67-68页 |
| ·实验对比 | 第68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 第五章 结论 | 第70-72页 |
| 附录 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-84页 |
| 作者攻硕期间取得的成果 | 第84-85页 |
