| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第11-25页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 刻蚀在MEMS中应用 | 第11-12页 |
| 1.3 刻蚀在TSV中的应用 | 第12-13页 |
| 1.4 湿法刻蚀 | 第13-14页 |
| 1.5 等离子体刻蚀 | 第14-20页 |
| 1.5.1 RIE | 第14-15页 |
| 1.5.2 ICP | 第15-16页 |
| 1.5.3 Bosch工艺 | 第16-18页 |
| 1.5.4 低温刻蚀 | 第18-19页 |
| 1.5.5 混合气体刻蚀 | 第19-20页 |
| 1.6 深硅刻蚀工艺参数 | 第20-23页 |
| 1.6.1 刻蚀速率 | 第20页 |
| 1.6.2 均一性 | 第20-21页 |
| 1.6.3 选择比 | 第21页 |
| 1.6.4 刻蚀轮廓 | 第21-23页 |
| 1.7 本课题主要研究内容、目的及意义 | 第23-25页 |
| 2 实验方法与测试技术 | 第25-34页 |
| 2.1 光刻技术 | 第25-30页 |
| 2.1.1 光刻胶 | 第25-26页 |
| 2.1.2 硅片清洗 | 第26-27页 |
| 2.1.3 匀胶 | 第27-28页 |
| 2.1.4 前烘 | 第28-29页 |
| 2.1.5 曝光 | 第29-30页 |
| 2.1.6 显影与坚膜 | 第30页 |
| 2.2 测试设备 | 第30-34页 |
| 2.2.1 显微镜 | 第30-31页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第31页 |
| 2.2.3 光学轮廓仪 | 第31-32页 |
| 2.2.4 原子力显微镜(AFM) | 第32-34页 |
| 3 设备结构与试制 | 第34-46页 |
| 3.1 设备结构 | 第35-42页 |
| 3.1.1 基底尺寸 | 第35页 |
| 3.1.2 腔体结构 | 第35-36页 |
| 3.1.3 卡盘结构 | 第36-37页 |
| 3.1.4 ICP线圈 | 第37-38页 |
| 3.1.5 气体分配系统 | 第38页 |
| 3.1.6 操纵系统 | 第38-40页 |
| 3.1.7 射频源 | 第40-41页 |
| 3.1.8 流量计 | 第41-42页 |
| 3.2 设备试制 | 第42-45页 |
| 3.2.1 真空性 | 第42-43页 |
| 3.2.2 等离子体表征 | 第43-44页 |
| 3.2.3 氦冷却 | 第44-45页 |
| 3.2.4 卡盘监测设备 | 第45页 |
| 3.3 小结 | 第45-46页 |
| 4 多元混合气体对Si刻蚀的影响 | 第46-58页 |
| 4.1 二元混合气体刻蚀 | 第46-52页 |
| 4.1.1 SF_6/O_2混合气体刻蚀 | 第46-49页 |
| 4.1.2 SF_6/C_4F_8混合气体刻蚀 | 第49-51页 |
| 4.1.3 SF_6/Ar混合气体刻蚀 | 第51-52页 |
| 4.2 三元混合气体刻蚀 | 第52-57页 |
| 4.2.1 SF_6/C_4F_8/O_2混合气体刻蚀 | 第52-54页 |
| 4.2.2 SF_6/C_4F_8/Ar混合气体刻蚀 | 第54-56页 |
| 4.2.3 SF_6/O_2/Ar混合气体刻蚀 | 第56-57页 |
| 4.3 小结 | 第57-58页 |
| 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-67页 |
| 攻读硕士学位期间取得的学术成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |