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压包式绝缘栅双极型晶体管失效分析

摘要第5-6页
Abstract第6页
List of Abbreviations第11页
Keywords第11-12页
1. Chapter Introduction第12-17页
    1.1. Research objectives第13-14页
    1.2. Research methodology第14-15页
    1.3. Outline of the thesis第15-16页
    1.4. Research time scheduling第16页
    Conclusion第16-17页
2. Chapter Basis for the PP-IGBT project development第17-33页
    2.1 IGBT Press-ack evolution:第17-18页
    2.2 Some applications of IGBT press-pack第18-19页
    2.3 IGBT internal structure design concept:第19-21页
    2.4 IGBT Press Pack design concept:第21-22页
    2.5 Press-Pack IGBT VS.IGBT conventional Module第22-23页
    2.6 Accelerated Lifetime Stress Tests:第23-26页
        2.6.1 Power Cycling Test第23-24页
        2.6.2 Thermal Shock Test and Thermal Cycling第24页
        2.6.3 High Temperature Gate Stress Test第24页
        2.6.4 High Temperature Reverse Bias Test第24-25页
        2.6.5 High Humidity High Temperature Bias Test第25页
        2.6.6 High- and Low Temperature Storages Tests第25-26页
    2.7 Press-pack IGBT failure mechanisms第26-31页
        2.7.1 Micro-eroding (Micro arcing)第26页
        2.7.2 Fretting damage第26-27页
        2.7.3 Gate-oxide damage第27页
        2.7.4 Spring fatigue and stress relaxation第27-28页
        2.7.5 Gate Drive Failure第28页
        2.7.6 Latch-up第28页
        2.7.7 High Voltage Breakdown第28-29页
        2.7.8 Second Breakdown第29页
        2.7.9 Energy Shocks第29页
        2.7.10 Cosmic ray induced burnout第29-30页
        2.7.11 Failure of the Conducting Alloy in the Final Stages第30-31页
    2.8 Conventional module failure mechanisms第31-32页
        2.8.1 Bonding wire lift-off第31-32页
        2.8.2 Solder joint fatigue第32页
        2.8.3 Metallization reconstruction第32页
    Conclusion第32-33页
3. Chapter FEM and COMSOL Multiphysics第33-38页
    3.1 Introduction:第33页
    3.2 Basic concepts of Finite Element Method:第33-37页
        3.2.1 How does the FEM work?第34-37页
    3.3 COMSOL Multiphysics software:第37-38页
4. Chapter PP-IGBT Modeling and Simulation Results第38-63页
    4.1 IGBT Press Pack COMSOL model:第38-43页
        4.1.1 Geometric model第38-39页
        4.1.2 The Model boundary conditions:第39-41页
        4.1.3 Material properties:第41-42页
        4.1.4 Meshing:第42-43页
    4.2 Simulation Results:第43-62页
        4.2.1 Case1: Real failure scenario electro-thermo-mechanical analysis第43-53页
        4.2.2 Case2: Effects of finding an air gap between the Si and PI第53-57页
        4.2.3 Case3: Analysis of Partial loss of contact between layers第57-62页
    Conclusion第62-63页
5. Chapter Conclusion and future work第63-66页
6. References第66-70页
Acknowledgements第70页

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