0.3~3GHz SOI CMOS低功耗下变频混频器设计与实现
摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
第一章 绪论 | 第13-19页 |
1.1 论文背景与意义 | 第13页 |
1.2 SOI技术的特点与优势 | 第13-14页 |
1.3 下变频混频器研究现状 | 第14-15页 |
1.4 研究内容与设计指标 | 第15-16页 |
1.4.1 研究内容 | 第15-16页 |
1.4.2 设计指标 | 第16页 |
1.5 论文组织情况 | 第16-19页 |
第二章 下变频混频器结构与原理 | 第19-31页 |
2.1 混频器的原理 | 第19-20页 |
2.2 混频器的分类 | 第20-25页 |
2.2.1 平方律电路 | 第20-21页 |
2.2.2 单平衡无源混频器 | 第21-22页 |
2.2.3 双平衡无源混频器 | 第22-23页 |
2.2.4 单平衡有源混频器 | 第23页 |
2.2.5 双平衡有源混频器 | 第23-25页 |
2.3 混频器性能指标 | 第25-28页 |
2.3.1 变频增益(损耗) | 第25页 |
2.3.2 线性度 | 第25-27页 |
2.3.2.11 dB压缩点 | 第25-26页 |
2.3.2.2 三阶截点 | 第26-27页 |
2.3.3 噪声系数 | 第27-28页 |
2.3.4 隔离度 | 第28页 |
2.3.5 阻抗匹配 | 第28页 |
2.4 本章小结 | 第28-31页 |
第三章 宽带低功耗下变频混频器电路设计与前仿真 | 第31-61页 |
3.1 混频器指标分析 | 第31页 |
3.2 宽带低功耗下变频混频器结构设计 | 第31-38页 |
3.2.1 低功耗设计 | 第32-33页 |
3.2.2 跨导管设计 | 第33-35页 |
3.2.3 开关级设计 | 第35-36页 |
3.2.4 负载电路结构 | 第36-38页 |
3.3 输出缓冲电路的设计 | 第38-39页 |
3.4 偏置电路的设计 | 第39页 |
3.5 ESD保护电路 | 第39-40页 |
3.6 宽带低功耗下变频混频器前仿真 | 第40-59页 |
3.6.1 电压转换增益前仿真 | 第40-45页 |
3.6.2 输入1dB压缩点前仿真 | 第45-48页 |
3.6.3 输入三阶截点前仿真 | 第48-52页 |
3.6.4 单边带噪声系数前仿真 | 第52-58页 |
3.6.5 下变频混频器前仿真结果汇总 | 第58-59页 |
3.7 本章小结 | 第59-61页 |
第四章 宽带低功耗下变频混频器版图设计与后仿真 | 第61-87页 |
4.1 版图设计要素 | 第61-63页 |
4.1.1 寄生参数 | 第61页 |
4.1.2 版图的对称性 | 第61-62页 |
4.1.3 器件和走线 | 第62页 |
4.1.4 线电流密度 | 第62页 |
4.1.5 闩锁效应 | 第62-63页 |
4.1.6 天线效应 | 第63页 |
4.2 下变频混频器版图设计与焊盘布局 | 第63-65页 |
4.2.1 版图设计 | 第63-64页 |
4.2.2 版图焊盘布局 | 第64-65页 |
4.3 下变频混频器后仿真 | 第65-86页 |
4.3.1 电压转换增益后仿真 | 第65-68页 |
4.3.2 输入1dB压缩点后仿真 | 第68-72页 |
4.3.3 输入三阶截点后仿真 | 第72-76页 |
4.3.4 单边带噪声系数后仿真 | 第76-81页 |
4.3.5 隔离度后仿真 | 第81-85页 |
4.3.6 下变频混频器后仿真结果汇总 | 第85-86页 |
4.4 本章小结 | 第86-87页 |
第五章 宽带低功耗下变频混频器芯片测试结果 | 第87-97页 |
5.1 测试仪器设备 | 第87-88页 |
5.2 测试方案 | 第88-96页 |
5.2.1 线路损耗测试 | 第88-89页 |
5.2.2 芯片直流工作点及工作电流测试 | 第89页 |
5.2.3 电压转换增益测试 | 第89-92页 |
5.2.4 输入1dB压缩点测试 | 第92-94页 |
5.2.5 单边带噪声系数测试 | 第94-95页 |
5.2.6 隔离度测试 | 第95-96页 |
5.2.7 后仿真与测试结果对比 | 第96页 |
5.3 本章小结 | 第96-97页 |
第六章 总结与展望 | 第97-99页 |
6.1 工作总结 | 第97页 |
6.2 后续工作展望 | 第97-99页 |
参考文献 | 第99-103页 |
致谢 | 第103-105页 |
硕士阶段发表论文 | 第105页 |