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若干拓扑半金属的第一性原理研究

摘要第4-7页
ABSTRACT第7-9页
第一章 绪论第14-45页
    第一节 研究背景第14-35页
        1.1 量子霍尔效应到拓扑绝缘体第14-22页
            1.1.1 量子霍尔效应第14-18页
            1.1.2 TKNN数第18-20页
            1.1.3 量子反常霍尔效应到Z_2拓扑绝缘体第20-22页
        1.2 拓扑(半)金属第22-35页
            1.2.1 外尔半金属第23-26页
            1.2.2 第二类外尔半金属第26-27页
            1.2.3 狄拉克半金属第27页
            1.2.4 节点线半金属第27-35页
    第二节 研究内容简介第35-36页
    参考文献第36-45页
第二章 第一性原理简介第45-60页
    第一节 波恩-奥本海默近似第45-48页
        1.1 单电子近似第46页
        1.2 哈特利-福克近似第46-48页
    第二节 密度泛函理论第48-51页
        2.1 Hohenberg-Kohn定理第48页
        2.2 Kohn-Sham方程第48-49页
        2.3 交换关联泛函第49-51页
    第三节 赝势第51-53页
        3.1 模守恒赝势第51-52页
        3.2 超软赝势(USPP)与投影缀加波(PAW)方法第52-53页
    第四节 空间群的不可约表示理论第53-56页
        4.1 简单空间群的不可约表示理论第53-55页
        4.2 非简单空间群的表示理论第55-56页
    第五节 k·p微扰方法第56-59页
    参考文献第59-60页
第三章 Na_3Bi中压力/应变诱导的拓扑相变第60-79页
    第一节 Na_3Bi P(?)c1常压相做(100)方向单轴向应变诱导的拓扑绝缘体相变第62-63页
    第二节 Na_3Bi Fm(?)m高压相k·p模型介绍第63-64页
    第三节 应变诱导的拓扑绝缘体相变第64-71页
        3.1 单轴向应变诱导的拓扑绝缘体相变第65-68页
        3.2 <100>剪切应变诱导的拓扑绝缘体相变第68-69页
        3.3 <111>方向剪切应变诱导的拓扑绝缘体相变第69-71页
    第四节 Fm(?)m Na_3Bi在无应变以及各种应变情况下的表面态第71-72页
    第五节 小结第72-73页
    参考文献第73-79页
第四章 非简单空间群保护的节点线半金属-P(?)c1 YH_3第79-93页
    第一节 YH_3常压相的结构参数第80-81页
    第二节 不考虑自旋轨道耦合的YH_3 P(?)c1的节点线半金属相第81-82页
    第三节 考虑自旋轨道耦合的YH_3 P(?)c1的拓扑绝缘体相第82-85页
    第四节 P(?)c1 YH_3的表面态第85-86页
    第五节 小结第86-87页
    参考文献第87-93页
第五章 非简单空间群保护的浑天仪型与沙漏型半金属-Pbca AgF_2第93-109页
    第一节 Pbca AgF_2常压相的结构参数第94-95页
    第二节 不存在自旋轨道耦合时:节点面半金属态与四度简并节点线第95-99页
        2.1 布里渊区表面节点面半金属态第96页
        2.2 布里渊区边界四度简并节点线第96-98页
        2.3 浑天仪式节点线链金属态第98-99页
    第三节 存在自旋轨道耦合时:沙漏型狄拉克圆圈第99-102页
        3.1 存在自旋轨道耦合时:X/Y/Z-U/S/T的四度简并第99-100页
        3.2 存在自旋轨道耦合时:沙漏型狄拉克圆圈态第100-102页
    第四节 无自旋轨道耦合时的表面态第102-103页
    第五节 小结第103-105页
    参考文献第105-109页
第六章 总结与展望第109-111页
博士期间完成的论文第111-113页
致谢第113-115页

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