| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-44页 |
| 1.1 外尔半金属与狄拉克半金属 | 第11-26页 |
| 1.1.1 外尔半金属的发现与其基本性质 | 第12-15页 |
| 1.1.2 外尔半金属拓扑性的直接物理结果 | 第15-18页 |
| 1.1.3 手性反常及其输运研究 | 第18-21页 |
| 1.1.4 非平庸的量子振荡 | 第21-23页 |
| 1.1.5 表面态输运 | 第23-24页 |
| 1.1.6 拓扑半金属中的经典输运: 巨磁电阻与超高迁移率 | 第24-26页 |
| 1.2 打破洛伦兹不变性的外尔半金属与狄拉克半金属 | 第26-34页 |
| 1.2.1 第二类拓扑半金属的发现与基本性质 | 第26-28页 |
| 1.2.2 各向异性的手性反常 | 第28-30页 |
| 1.2.3 动量空间的Klein隧穿 | 第30-32页 |
| 1.2.4 费米弧参与的量子输运 | 第32-33页 |
| 1.2.5 非平庸的量子振荡 | 第33-34页 |
| 1.3 本文主要内容概要 | 第34-36页 |
| 参考文献 | 第36-44页 |
| 第二章 实验方法 | 第44-54页 |
| 2.1 晶体生长 | 第44-45页 |
| 2.2 材料的初步表征 | 第45-46页 |
| 2.3 器件制备 | 第46-49页 |
| 2.4 输运测试技术 | 第49-51页 |
| 2.5 数据处理方法 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-54页 |
| 第三章 Ga~+注入对WTe_2纳米器件的电输运调控 | 第54-74页 |
| 3.1 研究背景 | 第54-56页 |
| 3.2 离子注入在拓扑材料调控中的应用 | 第56-59页 |
| 3.3 利用Ga~+注入在WTe_2纳米器件中引入结构缺陷 | 第59-65页 |
| 3.4 Ga~+注入对WTe_2纳米器件的电输运调控 | 第65-69页 |
| 3.5 本章小结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 第四章 Mo掺杂对WTe_2纳米器件的电输运调控 | 第74-90页 |
| 4.1 研究背景 | 第74-77页 |
| 4.2 Mo_xW_(1-x)Te_2(x=0,0.07,0.35)样品的生长、表征及器件制备 | 第77-78页 |
| 4.3 Mo_xW_(1-x)Te_2(x=0,0.07,0.35)纳米器件的电输运性质研究 | 第78-83页 |
| 4.4 Mo_xW_(1-x)Te_2(x=0,0.07,0.35)纳米器件的量子振荡研究 | 第83-86页 |
| 4.5 本章小结 | 第86页 |
| 参考文献 | 第86-90页 |
| 第五章 第二类狄拉克半金属PtTe_2的量子振荡研究 | 第90-104页 |
| 5.1 研究背景 | 第90-92页 |
| 5.2 PtTe_2样品的制备与基本表征 | 第92-94页 |
| 5.3 PtTe_2晶体的磁量子振荡研究 | 第94-98页 |
| 5.4 关于PtTe_2晶体的第一性原理计算 | 第98-100页 |
| 5.5 本章小结 | 第100页 |
| 参考文献 | 第100-104页 |
| 第六章 结论与展望 | 第104-111页 |
| 6.1 工作总结、问题发现与优化方案 | 第104-107页 |
| 6.2 展望未来 | 第107-109页 |
| 参考文献 | 第109-111页 |
| 攻读博士学位期间研究成果 | 第111-113页 |
| 致谢 | 第113-115页 |
