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掺杂对硫化镉与氧化铟气体传感器性能的影响

中文摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第10-24页
    1.1 引言第10-11页
    1.2 气体传感器第11-14页
        1.2.1 气体传感器的研究背景及意义第11-13页
        1.2.2 气体传感器的分类第13-14页
    1.3 半导体型气体传感器第14-17页
        1.3.1 半导体型器件的分类第14-15页
        1.3.2 传感器性能指标第15-17页
    1.4 纳米材料的研究第17-23页
        1.4.1 纳米材料概述第17页
        1.4.2 气体传感器研究现状第17-18页
        1.4.3 器件性能的改进方法第18-23页
    1.5 本论文的研究内容第23-24页
第二章 Zn掺杂CdS分等级结构纳米球的制备及其气敏特性的研究第24-36页
    2.1 CdS纳米材料的制备及测试准备工作第24-26页
        2.1.1 样品的制备第24页
        2.1.2 样品表征第24-25页
        2.1.3 气体传感器的制作与测试第25-26页
    2.2 样品的物相与形貌特性分析第26-29页
    2.3 样品的气体敏感特性分析第29-34页
    2.4 气敏机理讨论第34-35页
    2.5 本章小结第35-36页
第三章 Sm掺杂In_2O_3纳米花球的制备以及气敏特性研究第36-45页
    3.1 In_2O_3纳米花球的制备及测试准备工作第36-37页
        3.1.1 In_2O_3纳米花球的制备第36-37页
        3.1.2 样品表征第37页
        3.1.3 气体传感器的制作与测试第37页
    3.2 样品的物相与形貌特性分析第37-40页
    3.3 In_2O_3纳米花球的气敏性能测试第40-44页
    3.4 本章小结第44-45页
第四章 论文总结与展望第45-46页
参考文献第46-53页
作者简介及在学期间所取得的科研成果第53-54页
致谢第54页

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