基于SiGe工艺的Ka波段收发芯片关键技术研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外发展动态 | 第11-15页 |
| 1.3 本文工作与结构安排 | 第15-16页 |
| 第二章 收发芯片系统分析设计 | 第16-28页 |
| 2.1 架构介绍 | 第16-19页 |
| 2.2 方案选择与指标分配 | 第19-22页 |
| 2.3 SiGeBiCMOS工艺介绍 | 第22-23页 |
| 2.4 片上隔离技术 | 第23-26页 |
| 2.5 设计方法介绍 | 第26-27页 |
| 2.6 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 开关与幅相控制设计 | 第28-45页 |
| 3.1 单刀双掷开关设计 | 第28-33页 |
| 3.1.1 微波开关介绍 | 第28页 |
| 3.1.2 单刀双掷开关设计 | 第28-31页 |
| 3.1.3 仿真结果 | 第31-33页 |
| 3.2 全温数控衰减器 | 第33-43页 |
| 3.2.1 衰减器介绍 | 第33-36页 |
| 3.2.2 全温数控衰减器设计 | 第36-40页 |
| 3.2.3 整体设计与仿真结果 | 第40-43页 |
| 3.3 移相器设计 | 第43-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 放大器设计 | 第45-63页 |
| 4.1 补偿放大器设计 | 第45-50页 |
| 4.1.1 模型与分析 | 第45-47页 |
| 4.1.2 温度特性 | 第47-48页 |
| 4.1.3 仿真结果 | 第48-50页 |
| 4.2 低噪声放大器设计 | 第50-54页 |
| 4.2.1 分析与设计 | 第50-53页 |
| 4.2.2 仿真结果 | 第53-54页 |
| 4.3 功率放大器设计 | 第54-57页 |
| 4.4 温补偏置电路设计 | 第57-62页 |
| 4.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 系统仿真与单元电路测试 | 第63-72页 |
| 5.1 系统仿真结果 | 第63-66页 |
| 5.2 衰减器三温测试 | 第66-70页 |
| 5.2.1 测试环境 | 第66-67页 |
| 5.2.2 测试结果与分析 | 第67-70页 |
| 5.3 本章小结 | 第70-72页 |
| 第六章 总结与展望 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-77页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第77页 |
