| 摘要 | 第4-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 Ⅲ族氮化物的研究概况 | 第12-13页 |
| 1.3 Ⅲ族氮化物的基本性质 | 第13-18页 |
| 1.3.1 晶体结构 | 第13-16页 |
| 1.3.2 基本性质 | 第16-17页 |
| 1.3.3 三元、四元合金材料 | 第17-18页 |
| 1.4 InGaN/GaN量子阱的基本性质 | 第18-20页 |
| 1.5 InGaN/GaN量子阱中的极化效应 | 第20-21页 |
| 1.6 论文结构和研究内容 | 第21-23页 |
| 第二章 PL谱测试原理与应用 | 第23-29页 |
| 2.1 引言 | 第23页 |
| 2.2 光致发光的基本原理 | 第23-26页 |
| 2.3 PL谱的重要参数及应用 | 第26-27页 |
| 2.4 LED的发光效率 | 第27-28页 |
| 2.5 本文实验所用PL装置 | 第28-29页 |
| 第三章 InGaN/AlGaInN多量子阱光致发光特性 | 第29-39页 |
| 3.1 引言 | 第29页 |
| 3.2 实验样品和要求 | 第29-31页 |
| 3.3 SEM表面形貌分析 | 第31-32页 |
| 3.4 室温变功率PL-结果与分析 | 第32-35页 |
| 3.5 变温PL-结果与分析 | 第35-39页 |
| 第四章 结论 | 第39-41页 |
| 参考文献 | 第41-45页 |
| 致谢 | 第45-46页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第46-47页 |