| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-18页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第12页 |
| 1.2 HBT的发展历史 | 第12-15页 |
| 1.3 HBT建模研究现状 | 第15-17页 |
| 1.4 本论文的主要工作及内容安排 | 第17-18页 |
| 第二章 SiGe HBT的基本工作原理及模型技术 | 第18-38页 |
| 2.1 SiGe材料的基本特性 | 第18-20页 |
| 2.1.1 SiGe材料的临界厚度 | 第18-19页 |
| 2.1.2 SiGe材料的能带特点 | 第19-20页 |
| 2.1.3 Si衬底上SiGe材料的生长技术 | 第20页 |
| 2.2 SiGe HBT的基本工作原理 | 第20-23页 |
| 2.3 SiGe HBT模型技术 | 第23-31页 |
| 2.3.1 大信号模型Ebers-Moll | 第24-25页 |
| 2.3.2 大信号Gummel-Poon模型 | 第25-28页 |
| 2.3.3 HBT小信号π和T型模型 | 第28-30页 |
| 2.3.4 软件优化建模流程及小信号模型参数提取方法 | 第30-31页 |
| 2.4 ADS电路仿真及TCAD器件仿真环境介绍 | 第31-37页 |
| 2.4.1 使用ADS的设计 | 第32页 |
| 2.4.2 ADS中S参数仿真 | 第32-33页 |
| 2.4.3 TCAD中HBT器件参数获取 | 第33-37页 |
| 2.5 小结 | 第37-38页 |
| 第三章 HBT的小信号模型结构及参数计算 | 第38-48页 |
| 3.1 SiGe HBT的器件结构 | 第38-39页 |
| 3.2 HBT小信号模型 | 第39-48页 |
| 3.2.1 混合π型小信号等效电路结构 | 第39-40页 |
| 3.2.2 混合π型小信号等效电路本征模型参数计算 | 第40-48页 |
| 第四章 基于优化技术的HBT建模及结果分析 | 第48-57页 |
| 4.1 二端口网络与S参数 | 第48-50页 |
| 4.2 ADS曲线优化拟合算法 | 第50-51页 |
| 4.3 仿真结果分析与对比 | 第51-55页 |
| 4.3.1 SiGe HBT小信号S参数TCAD测量结果 | 第51-52页 |
| 4.3.2 本征电路初值模型S参数仿真曲线 | 第52-53页 |
| 4.3.3 ADS优化拟合后S参数曲线 | 第53-55页 |
| 4.4 考虑非本征元件的S参数仿真曲线 | 第55-57页 |
| 第五章 全文总结和展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 附录 | 第64-65页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第65页 |
